[发明专利]密闭型二次电池及其制造方法有效
申请号: | 200980100841.7 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN101952997A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 宫田恭介;福冈孝博;播磨幸男;船见浩司;熊泽诚二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01M2/30 | 分类号: | H01M2/30;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/20;H01M2/04;H01M2/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密闭 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种密闭型二次电池,其将正极板和负极板隔着隔膜层叠或卷绕而成的电极组收纳于电池壳体内,并用封口板将该电池壳体的开口部进行封口,所述密闭型二次电池的特征在于:从所述电极组的任一个极板导出的引线通过光斑直径小于该引线厚度的激光与所述封口板进行激光焊接。
2.根据权利要求1所述的密闭型二次电池,其中,所述引线与所述封口板的焊接部的熔深大于所述焊接部的焊珠直径。
3.根据权利要求1所述的密闭型二次电池,其中,所述引线与所述封口板的焊接部形成为线状。
4.根据权利要求1所述的密闭型二次电池,其中,所述引线和所述封口板由以铝为主成分的材料构成。
5.根据权利要求1所述的密闭型二次电池,其中,所述激光的光斑直径为所述引线的厚度的1/2以下。
6.根据权利要求3所述的密闭型二次电池,其中,所述焊接部形成至少2条以上的相互分开的直线状或曲线状。
7.根据权利要求3所述的密闭型二次电池,其中,所述焊接部形成连续的封闭直线或封闭曲线。
8.根据权利要求3所述的密闭型二次电池,其中,所述焊接部形成连续的Z字状。
9.根据权利要求3所述的密闭型二次电池,其中,所述焊接部至少在与所述引线的长度方向垂直的方向上具有呈直线状的部位。
10.根据权利要求3所述的密闭型二次电池,其中,所述焊接部的焊接长度与焊接宽度之比为4以上。
11.根据权利要求3所述的密闭型二次电池,其中,所述焊接部形成于所述引线的宽度方向上,所述焊接部的焊接长度为所述引线的宽度的1/3以上。
12.一种权利要求1所述的密闭型二次电池的制造方法,其包含以下工序:
(a)准备电极组的工序,所述电极组是将正极板和负极板隔着隔膜层叠或卷绕而成的;
(b)将引线的一端与所述电极组的任一个极板连接的工序;
(c)将所述电极组收纳于电池壳体内的工序;
(d)使所述引线的另一端与封口板抵接,从所述引线侧照射光斑直径小于所述引线厚度的激光,从而将所述引线的另一端与所述封口板进行激光焊接的工序;以及
(e)用所述封口板将所述电池壳体的开口部进行封口的工序。
13.根据权利要求12所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,在所述工序(d)中,所述激光是使用光纤激光来进行照射。
14.根据权利要求12所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,在所述工序(d)中,所述激光是一边连续扫描一边照射光纤激光。
15.根据权利要求14所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,在所述扫描开始后的一定时间,一边使所述激光的功率增加一边进行激光照射,并且,在所述扫描停止前的一定时间,一边使所述激光的功率减少一边进行激光照射。
16.根据权利要求15所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,从所述扫描开始后经过一定时间之后到所述扫描停止前的一定时间之间,将所述激光的功率设定为恒定来进行激光照射。
17.根据权利要求15所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,所述引线与所述封口板的焊接部的熔深在所述激光的扫描方向上恒定地形成。
18.根据权利要求15所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,所述引线与所述封口板的焊接部形成为线状。
19.根据权利要求15所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,一边使所述激光的聚焦位置相对于所述引线的表面移动,一边进行所述激光的功率的增加和减少。
20.根据权利要求12所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,在所述工序(d)中,所述激光的光斑直径为所述引线厚度的1/2以下。
21.根据权利要求12所述的密闭型二次电池的制造方法,其中,所述引线和所述封口板由以铝为主成分的材料构成。
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