[发明专利]溅射成膜方法以及溅射成膜装置

权利要求书

1.一种溅射成膜方法，使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，

在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜，其特征在于，

使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。

2.根据权利要求1所述的溅射成膜方法，其特征在于，

沿所述第一方向配置两组所述磁控阴极，

分别单独使用所述各磁控阴极在所述基板上进行溅射成膜时，调节所述各磁铁在所述第一方向上的移动速度以及在所述第二方向上的移动速度，使得膜厚比平均值厚的区域在所述第一方向上的膜厚偏差与膜厚比平均值薄的区域在所述第一方向上的膜厚偏差大小相同而符号相反，

并且调节所述各磁铁的往复移动的相位，使得通过所述各磁控阴极在所述基板上形成的薄膜在所述第一方向上的膜厚变化的相位分别错开半个周期，

同时使用所述各磁控阴极来进行溅射成膜。

3.根据权利要求1所述的溅射成膜方法，其特征在于，

沿所述第一方向配置三组所述磁控阴极，

分别单独使用所述各磁控阴极在所述基板上进行溅射成膜，形成膜厚按矩形波状变化的被膜时，调节所述各磁铁在所述第一方向上的移动速度以及在所述第二方向上的移动速度，使得膜厚最厚的部分在所述第一方向上的长度与膜厚最薄的部分在所述第一方向上的长度之比为1∶2或2∶1，

并且调节所述各磁铁的往复移动的相位，使得通过所述各磁控阴极在所述基板上形成的薄膜在所述第一方向上的膜厚变化的相位分别错开1/3周期，

同时使用所述各磁控阴极来进行溅射成膜。

4.根据权利要求1所述的溅射成膜方法，其特征在于，

沿所述第一方向配置三组所述磁控阴极，

分别单独使用所述各磁控阴极在所述基板上进行溅射成膜，形成膜厚按正弦波状变化的被膜时，调节所述各磁铁在所述第一方向上的移动速度以及在所述第二方向上的移动速度，使得膜厚比平均值厚的区域在所述第一方向上的膜厚偏差与膜厚比平均值薄的区域在所述第一方向上的膜厚偏差大小相同而符号相反，

并且调节所述各磁铁的往复移动的相位，使得通过所述各磁控阴极在所述基板上形成的薄膜在所述第一方向上的膜厚变化的相位分别错开1/3周期，

同时使用所述各磁控阴极来进行溅射成膜。

5.一种溅射成膜方法，其特征在于，

将沿所述第一方向配置的四组以上的所述磁控阴极划分为包括两组所述磁控阴极的第一集合体和包括三组所述磁控阴极的第二集合体，

在所述第一集合体中通过权利要求2所述的溅射成膜方法进行溅射成膜，在所述第二集合体中通过权利要求3或权利要求4所述的溅射成膜方法进行溅射成膜。

6.一种溅射成膜装置，包括在溅射室内配置的靶、以及在该靶的背面侧配置的磁铁，

在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜，其特征在于，

所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度被设定为不同的速度。