[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

包括第一类型半导体和第二类型半导体的半导体单元；

电连接到所述半导体单元的电极；以及

位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一层接触所述半导体单元，所述第二层位于所述第一层之上，所述第三层位于所述第二层之上，并且

所述第一层的折射率小于所述第二层的折射率。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第三层的折射率小于所述第二层的折射率，并且等于或大于所述第一层的折射率。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二层包括氢(H₂)。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述钝化层位于所述半导体单元的与光入射表面相反的表面上。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述半导体单元的所述光入射表面上的防反射层，

其中，所述防反射层含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电极的一部分穿过所述钝化层而电连接到所述半导体单元。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括后表面场层，该后表面场层位于所述电极的穿过所述钝化层而电连接到所述半导体单元的所述部分与所述半导体单元之间。

9.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

包括第一类型半导体和第二类型半导体的半导体单元；

电连接到所述半导体单元的电极；以及

位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层和含有氮氧化硅(SiOxNy)的第二层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第一层接触所述半导体单元，所述第二层位于所述第一层之上，并且

所述第一层的折射率小于所述第二层的折射率。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述钝化层还包括含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述第一层接触所述半导体单元，所述第二层位于所述第一层之上，所述第三层位于所述第二层之上，并且

所述第三层的折射率等于或小于所述第二层的折射率，并且等于或大于所述第一层的折射率。

13.一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池包括半导体单元、电极、以及位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该制造方法包括以下步骤：

在所述半导体单元上形成所述钝化层，所述钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层和含有氮氧化硅(SiOxNy)的第二层；

形成贯穿所述钝化层的孔；以及

形成电极材料层，以在所述钝化层上形成所述电极。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述钝化层还包括位于所述第一层与所述第二层之间的、含有氮化硅(SiNx)的第三层。

15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，通过光刻、机械划刻、刻蚀膏或激光烧蚀来形成所述孔。

16.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述孔的形成步骤包括将激光束照射到所述钝化层上。

17.根据权利要求13所述的制造方法，其中，在所述电极层的形成步骤之后进行所述孔的形成步骤，并且，所述孔的形成步骤包括将激光束照射到所述电极材料层上。

18.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述电极材料层包括电极膏，该电极膏包括金属粉末、溶剂和玻璃粉末。

19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述金属粉末包括铝(Al)。