[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其包括：热处理衬底的主表面，所述主表面上具有至少含有倾斜的侧表面的台面；通过在氨供应下的氮化而在具有所述台面的衬底表面上形成氮化铝薄膜；和主要在所述衬底的所述台面的所述侧表面上外延生长Ⅲ族氮化物系化合物半导体。

2.根据权利要求1用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中所述衬底为具有m面主表面的蓝宝石衬底；所述台面具有除了所述主表面之外的侧表面；和在所述蓝宝石衬底的m面中，由所述侧表面和所述主表面形成的线从a轴向c轴方向倾斜15°-90°。

3.根据权利要求1用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中所述衬底为具有c面主表面的蓝宝石衬底，所述台面具有除了所述主表面之外的侧表面。

4.一种用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其包括：

热处理蓝宝石衬底的a面主表面，所述主表面上具有至少含有侧表面的台面，所述侧表面具有与c面成45°或更小的倾角；

通过在氨供应下的氮化而在具有台面的表面上形成氮化铝薄膜；和

主要在具有与c面成45°或更小倾角的所述台面侧表面上外延生长Ⅲ族氮化物系化合物半导体，从而形成具有m面主表面的Ⅲ族氮化物系化合物半导体层，其中所述m面主表面平行于所述蓝宝石衬底的a面表面。

5.根据权利要求2-4中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中在所述台面的侧表面中，利用使得Ⅲ族氮化物系化合物半导体不易外延生长的材料来覆盖具有不同法向矢量的两个侧表面之一。

6.根据权利要求2-4中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中在所述台面的侧表面中，对具有不同法向矢量的两个侧表面之一进行处理，以使其具有浮凸或粗糙度，从而使得Ⅲ族氮化物系化合物半导体在处理的侧表面上的外延生长不易进行。

7.根据权利要求1-6中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中从上观看时，所述台面以条状排列。

8.根据权利要求1-6中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中从上观看时，所述台面以栅格形式排列。

9.根据权利要求1-8中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中在所述热处理中，通过供应铝或铝化合物形成厚度为的铝薄膜。

10.根据权利要求9的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中所述铝薄膜通过供应三甲基铝形成。

11.根据权利要求10的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中所述铝薄膜在300℃-420℃下形成。

12.根据权利要求1-8中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中所述热处理包括在氢气气氛中加热至900℃-1200℃的预定温度并维持所述预定温度20分钟或更短。

13.根据权利要求1-12中任一项的用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其中所述热处理不包括供应可用作Ⅲ族氮化物系化合物半导体的氮源的氨或反应性氮化合物。

14.一种晶片，包括蓝宝石衬底和Ⅲ族氮化物系化合物半导体，所述蓝宝石衬底上具有含有侧表面的台面，所述侧表面不同于所述衬底的主表面并且Ⅲ族氮化物系化合物半导体在其上比在所述主表面上更易生长，所述Ⅲ族氮化物系化合物半导体在所述侧表面上外延生长并且具有含有所希望的晶体取向的主表面。

15.一种晶片，包括具有a面主表面的蓝宝石衬底和Ⅲ族氮化物系化合物半导体，所述Ⅲ族氮化物系化合物半导体具有m面主表面且在所述蓝宝石衬底上形成，其中在所述蓝宝石衬底和所述Ⅲ族氮化物系化合物半导体之间，不存在由不同于Ⅲ族氮化物系化合物半导体的材料制成的膜。

16.一种晶片，包括具有a面主表面的蓝宝石衬底和Ⅲ族氮化物系化合物半导体，所述Ⅲ族氮化物系化合物半导体具有m面主表面且在所述蓝宝石衬底上形成，其中在所述蓝宝石衬底和所述Ⅲ族氮化物系化合物半导体之间的蓝宝石衬底的至少一部分a面主表面上，不存在由不同于Ⅲ族氮化物系化合物半导体的材料制成的膜。