[发明专利]制造半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：

a)提供包括基底(3)、绝缘层(5)和第一半导体层(7)的绝缘体上硅型(SOI)衬底(1)；

b)对所述第一半导体层(7)进行掺杂以得到改性的第一半导体层(9)；以及

c)在所述改性的第一半导体层(9)上，特别是在所述改性的第一半导体层(9)上面，提供具有与所述改性的第一半导体层(9)不同的掺杂浓度的第二半导体层(13)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述改性的第一半导体层(9)中的掺杂浓度高于所述第二半导体层(13)中的掺杂浓度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二半导体层(13)在所述改性的第一半导体层(9)上外延生长，特别是在所述改性的第一半导体层(9)上面外延生长。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中，在掺杂后，所述改性的第一半导体层(9)是重掺杂的n++或p++半导体层。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中，在步骤c)中，所述第二半导体层(13)被提供为n-或p-半导体层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二半导体层的特别是扩散掺杂的掺杂与生长同时发生。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的方法，其中，步骤b)和步骤c)在同一制造装置(11)中执行，特别是在外延生长炉中执行。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中，所述基底(3)使用透明材料。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的方法，其中，所述改性的第一半导体层(7，9)的厚度在50nm到800nm的范围中，优选为55nm到200nm，和/或所述第二半导体层(13)的厚度在最大为8μm的范围中，和/或所述绝缘层(5)的厚度是50nm到1500nm，特别是100nm到400nm。

10.根据权利要求1到9中任一项所述的方法，其中，所使用的掺杂剂是Sb或As。

11.根据权利要求1到10中任一项所述的方法，其中，所述第一和/或第二半导体层通过使用含氯前驱气体的CVD工艺来获得。

12.根据权利要求1到11中任一项所述的方法，其中，生长压力低于400torr，特别是低于100torr，和/或生长速率低于2微米/分钟，特别是低于1微米/分钟，和/或淀积温度高于1000℃，特别是高于1075℃。

13.根据权利要求1到13中任一项所述的方法，其中，步骤a)包括以下步骤：

a1)提供施主衬底；

a2)在所述施主衬底或基底衬底上提供绝缘层；

a3)在所述施主衬底内产生预定分离区域；

a4)将所述施主衬底键合到所述基底衬底，以及

a5)在所述预定分离区域处将所述施主衬底的剩余部分与键合的施主-基底衬底分开，从而将所述施主衬底的包括所述绝缘层的层转移到所述基底衬底上以形成所述SOI衬底。

14.包括根据权利要求1到13中任一项制造的半导体衬底的光电传感器，特别是图像传感器。