[发明专利]有机电致发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200980101526.6 申请日: 2009-09-16
公开(公告)号: CN101911831A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 奥本健二;吉田英博 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H05B33/26 分类号: H05B33/26;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22;H05B33/24
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光元件,包括:

基板;

阳极金属层,其形成在所述基板之上;

绝缘层,其在所述阳极金属层之上并形成在第1区域;

金属氧化物层,其在所述阳极金属层之上,通过使层叠在所述基板之上的阳极金属层的表面氧化而至少形成在所述第1区域以外的第2区域;

空穴输送层,其在所述金属氧化物层之上,形成在没有形成所述绝缘层的第2区域,包含空穴输送性的有机材料;

有机发光层,其形成在所述空穴输送层之上;和

阴极层,其形成在所述有机发光层之上,向所述有机发光层注入电子;

所述第2区域中的所述阳极金属层的上面位于比所述第1区域中的所述阳极金属层的上面更下方的位置。

2.如权利要求1所述的有机电致发光元件,所述阳极金属层包括:

阳极金属下层,其可见光的反射率为60%以上;和

阳极金属上层,其层叠在所述阳极金属下层的表面上。

3.如权利要求2所述的有机电致发光元件,

所述阳极金属下层为包含铝以及银中的至少一种的合金;

所述阳极金属上层为包含钼、铬、钒、钨、镍、铱中的至少一种的金属。

4.如权利要求2或3所述的有机电致发光元件,所述第2区域中的所述阳极金属上层的膜厚为20nm以下。

5.如权利要求4所述的有机电致发光元件,在所述第2区域,没有形成所述阳极金属上层。

6.如权利要求1所述的有机电致发光元件,所述金属氧化物层还形成在所述第1区域。

7.如权利要求1所述的有机电致发光元件,

所述金属氧化物层形成在第1区域以及第2区域;

所述第2区域中的所述金属氧化物层的膜厚比所述第1区域中的所述金属氧化物层的膜厚大。

8.如权利要求1或6所述的有机电致发光元件,所述第2区域中的所述金属氧化物层的下面位于比所述第1区域中的所述金属氧化物层的下面更下方的位置。

9.如权利要求1所述的有机电致发光元件,

所述金属氧化物层不形成在所述第1区域而形成在所述第2区域;

在所述第2区域形成的所述金属氧化物层,其侧面部以及下面部由所述阳极金属层覆盖。

10.如权利要求1或2所述的有机电致发光元件,所述阳极金属层为包含银、钼、铬、钒、钨、镍、铱中的至少一种的金属。

11.一种照明装置,包括权利要求1~10中的任意一项所述的有机电致发光元件。

12.一种图像显示装置,包括权利要求1~10中的任意一项所述的有机电致发光元件。

13.一种有机电致发光元件的制造方法,包含:

金属层层叠步骤,在基板上层叠阳极金属层;

绝缘层形成步骤,在所述金属层层叠步骤之后,在所述阳极金属层之上形成绝缘层;

开口部形成步骤,在所述绝缘层形成步骤之后,通过对所述绝缘层进行图形形成,形成除去了所述绝缘层的一部分的开口部;

氧化处理步骤,在所述开口部形成步骤之后,通过对所述开口部的表面进行氧化处理而在所述开口部表面形成金属氧化物层;

空穴输送层形成步骤,在由所述氧化处理步骤氧化处理而得的所述金属氧化物层之上,通过湿式法形成包含空穴输送性的有机材料的空穴输送层;

发光层形成步骤,在所述空穴输送层之上形成有机发光层;和

阴极层形成步骤,在所述有机发光层的表面上,形成向所述有机发光层注入电子的阴极层。

14.如权利要求13所述的有机电致发光元件的制造方法,还包括自然氧化膜形成步骤,所述自然氧化膜形成步骤在所述金属层层叠步骤之后,通过暴露在大气中而在所述阳极金属层的表面形成由自然氧化得到的金属氧化膜;

所述绝缘层形成步骤是在所述自然氧化膜形成步骤之后在所述阳极金属层之上形成绝缘层的步骤。

15.如权利要求14所述的有机电致发光元件的制造方法,

在所述开口部形成步骤中,在所述绝缘层形成步骤之后,通过对所述绝缘层进行图形形成,形成去除了所述绝缘层的一部分的开口部,并且将形成在与开口部对应的区域的自然氧化膜除去。

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