[发明专利]溴促进的氟-硫化合物的合成有效

专利信息
申请号: 200980101550.X 申请日: 2009-06-11
公开(公告)号: CN101910056A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: R·温特 申请(专利权)人: 阿万特比奥公司
主分类号: C01B17/45 分类号: C01B17/45;C01B9/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 任永利
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 促进 硫化 合成
【说明书】:

相关申请的交叉参考

本申请要求2008年6月11日申请的美国临时专利申请序号61/060642,2009年2月17日申请的美国临时专利申请序号61/153180和2009年5月8日申请的美国临时申请序号61/176674的权益,将它们的全部内容在此引入作为参考。

发明领域

此处公开的是氟-硫化合物的合成方法。公开的方法使用溴来促进氟-硫化合物的合成,同时避免使用过高的温度、电化学制备、或使用通常使用的溶剂或反应物,这些通常使用的溶剂或反应物通常由于毒性、反应性太高或成本太高而认为是不合意的。

发明背景

很多氟-硫化合物具有有益的应用。例如,四氟化硫(SF4)是年产公吨水平的广泛使用的化合物,它可以在将羧酸、醛、一些醇和酮转化成它们对应的脱氧氟衍生物(即R-CF3、R-CHF2、RF、RR’-CF2)中用作脱氧氟化剂。SF4还在电子工业中用作蚀刻剂。此外,SF4可以用作合成其它重要的氟化产物的前体,这些氟化产物例如,但不限于,五氟化硫氯化物(SF5Cl)、五氟化硫溴化物(SF5Br)和六氟化硫(SF6)。

六氟代硫(SF6)是每年生产几千公吨的化合物,它在世界范围内的用途包括:作为PCB替代物和电气设备的惰性绝缘介质、蚀刻半导体、浇铸镁、生产热窗、某些火箭推进系统的推力源、流经工业系统的空气的追踪、填充眼睛的视网膜孔和医学成像。

含氟的有机改性的化合物,例如R-CF3、R-CHF2、RF、RR’-CF2和RSF5,已经在很多应用中使用,包括氟化治疗和诊断药物、农药、除草剂、抗生素、全氟代血液替代物、杀菌剂、聚合物溶剂、聚合物、润滑剂、液晶、表面活性剂、高沸点溶剂、稳定的溶剂、导电聚合物等。使用SF5基团代替CF3提供很多优势。特别地,SF5基团具有比CF3更大的电负性。此外,含有SF5的化合物通过它们杰出的化学性质而进一步卓而不凡,这些杰出的化学性质包括极高的化学和热稳定性、疏水性和疏油性、亲脂性、高密度、降低了的在爆炸中的震动敏感性、低沸点、低极化性和低表面张力。

尽管SF5衍生物提供这些优势,但是它们很难被合成。获得此类化合物的困难之处一部分与获得足够的和可提供的量的SF5Cl或SF5Br的困难有关,其中SF5Cl和SF5Br是用于合成和获得许多带有SF5基团结构部分的有机或无机衍生物的主要的化学试剂。特别地,SF5Cl是产生带SF5基团的(六氟化硫)SF6衍生物的宝贵反应物,并且可以被还原为十氟化二硫(S2F10),后者可以转化为五氟化硫溴化物(SF5Br)。SF5Cl也可以用来合成SF6。有趣的是,特别地,SF5Cl可以用于通过高温路线生产SF6(例如美国专利序号4390511),其中根据以下反应发生歧化反应:

该方法中,获得不含S2F10的SF6,而认为S2F10是有剧毒并且是通过硫与氯的反应生产SF6的副产物。因此,使用SF5Cl可用来产生高纯度的SF6

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