[发明专利]在阻挡层上具有钌电镀层的ULSI微细配线构件有效
| 申请号： | 200980101581.5 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101911257A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 关口淳之辅;伊森彻;木名濑隆 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C25D5/10;C25D7/12;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡 具有 镀层 ulsi 微细 构件 | ||
1.一种ULSI微细配线构件，具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，其特征在于，该ULSI微细配线至少具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。
2.根据权利要求1所述的ULSI微细配线构件，其特征在于，将所述钌电镀层作为种子层，在其上形成了铜电镀层。
3.根据权利要求1或2所述的ULSI微细配线构件，其特征在于，所述ULSI微细配线的阻挡层包含选自钨、钼和铌中的1种或2种以上的金属元素。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的ULSI微细配线构件，其特征在于，所述钌电镀层的作为杂质而含有的碳为100重量ppm以下。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的ULSI微细配线构件，其特征在于，所述基材是硅基板。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的ULSI微细配线构件，其特征在于，所述ULSI微细配线为大马士革铜配线。
7.一种ULSI微细配线的形成方法，其特征在于，至少在基材上形成阻挡层并在该阻挡层上形成钌电镀层。
8.根据权利要求7所述的ULSI微细配线的形成方法，其特征在于，将所述钌电镀层作为种子层，在其上形成铜电镀层。
9.根据权利要求7或8所述的ULSI微细配线的形成方法，其特征在于，所述ULSI微细配线的阻挡层包含选自钨、钼和铌中的1种或2种以上的金属元素。
10.根据权利要求7～9的任一项所述的ULSI微细配线的形成方法，其特征在于，所述钌电镀层的作为杂质而含有的碳为100重量ppm以下。
11.根据权利要求7～10的任一项所述的ULSI微细配线的形成方法，其特征在于，所述基材是硅基板。
12.根据权利要求7～11的任一项所述的ULSI微细配线的形成方法，其特征在于，所述ULSI微细配线是大马士革铜配线。
13.一种半导体晶片，采用权利要求7～12的任一项所述的方法形成了ULSI微细配线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日矿金属株式会社，未经日矿金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980101581.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
