[发明专利]薄膜晶体管基板及显示设备有效
| 申请号： | 200980101632.4 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101919060A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 越智元隆;川上信之;富久胜文;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C22C21/00;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 设备 | ||
1.一种薄膜晶体管基板，其具有源电极、漏电极、透明导电膜以及薄膜晶体管的半导体层，其特征在于，
所述源电极及漏电极由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成、且含有0.1～1.5原子％的选自Si及Ge中的至少一种、0.1～3.0原子％的选自Ni及Co中的至少一种以及0.1～0.5原子％的选自La及Nd中的至少一种，
所述源电极及漏电极与由多结晶多晶硅或连续晶界结晶多晶硅形成的半导体层直接连接。
2.一种薄膜晶体管基板，其具有源电极、漏电极、透明导电膜以及薄膜晶体管的半导体层，其特征在于，
所述源电极及漏电极由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成、且含有0.1～1.5原子％的选自Si及Ge中的至少一种、0.1～6.0原子％的选自Ni及Co中的至少一种以及0.1～0.35原子％的选自La及Nd中的至少一种，
所述源电极及漏电极与由多结晶多晶硅或连续晶界结晶多晶硅形成的半导体层直接连接。
3.一种薄膜晶体管基板，其具有源电极、漏电极、透明导电膜以及薄膜晶体管的半导体层，其特征在于，
所述源电极及漏电极由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成且含有0.1～2.0原子％的选自Si及Ge中的至少一种、0.1～2.0原子％的选自Ni及Co中的至少一种以及0.1～0.25原子％的选自La及Nd中的至少一种，
所述源电极及漏电极与由多结晶多晶硅或连续晶界结晶多晶硅形成的半导体层直接连接。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，
所述漏电极还与所述透明导电膜直接连接。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，
所述源电极及漏电极通过溅射法形成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，
所述源电极及漏电极利用使用蚀刻气体的干蚀刻法形成，所述蚀刻气体含有选自氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)及溴化氢(HBr)中的至少一种气体。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，
所述源电极及漏电极是在干蚀刻前进行的光刻法显影中，使所述源电极及漏电极的表面暴露于氢氧化四甲基铵水溶液中而形成的。
8.一种显示设备，其具备权利要求1～7中任一项所述的薄膜晶体管基板。
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