[发明专利]闭环MOCVD沉积控制

权利要求书

1.一种基板处理系统，包括：

室，在该室中Ⅲ-Ⅴ族膜被沉积在基板上，包括：

一个或多个壁，形成处理空间；

喷头组件，限定所述处理空间的顶部部分；

可旋转基板载体，位于所述喷头组件下方并限定所述处理空间的底部部分，其中所述基板载体具有用于保持基板的多个凹槽；

一个或多个计量工具，适于测量设置于所述基板载体上的基板的表面特性；和

系统控制器，用于根据由所述计量工具获取的测量结果来控制所述室的工艺参数。

2.如权利要求1的系统，其中所述一个或多个计量工具中的至少一个计量工具设置在所述喷头组件中。

3.如权利要求1的系统，其中所述一个或多个计量工具中的至少一个计量工具设置在所述室的所述一个或多个壁中。

4.如权利要求1的系统，其中所述Ⅲ-Ⅴ族膜是氮化镓。

5.如权利要求1的系统，其中所述室是金属有机化学气相沉积(MOCVD)室或氢化物气相外延(HVPE)室。

6.如权利要求1的系统，其中所述一个或多个计量工具适于使用高温测定法、反射测量法、椭圆光度法、光致发光光谱法、电致发光光谱法、X射线衍射法(XRD)或频带边缘温度测定法来测量基板的表面特性。

7.如权利要求1的系统，其中由所述一个或多个计量工具测量的基板的表面特性为选自由厚度、反射率、物质组分、应力、应变、光致发光特性、电致发光特性或温度组成的组的特性。

8.一种组合工具，包括：

传送室；

机械手，设置在所述传送室中；

一个或多个处理室，其与所述传送室连通，其中所述一个或多个处理室中的至少一个处理室适于沉积Ⅲ-Ⅴ族膜于基板上；

维护室，与所述传送室连通；

一个或多个计量工具，适于测量基板的表面特性；和

系统控制器，用于根据由计量工具获取的测量结果来控制所述一个或多个处理室的工艺参数。

9.如权利要求8的组合工具，其中所述一个或多个计量工具中的至少一个计量工具设置在所述维护室内。

10.如权利要求8的组合工具，其中所述一个或多个计量工具中的至少一个计量工具耦合到所述传送室并与所述传送室流体连通。

11.如权利要求8的组合工具，其中所述一个或多个计量工具中的至少一个计量工具设置在所述传送室内。

12.如权利要求8的组合工具，其中所述一个或多个计量工具中的至少一个计量工具设置在至少一个处理室内。

13.如权利要求8的组合工具，其中至少一个处理室适于MOCVD或HVPE沉积。

14.如权利要求8的组合工具，其中所述一个或多个计量工具适于使用高温测定法、反射测量法、椭圆光度法、光致发光光谱法、电致发光光谱法、XRD或频带边缘温度测定法来测量基板的表面特性。

15.如权利要求8的组合工具，其中所述Ⅲ-Ⅴ族膜是氮化镓。