[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200980101924.8 | 申请日: | 2009-01-07 |
公开(公告)号: | CN101911294A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 妹尾贤 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H01L23/31;H01L21/607 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;孙丽梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
焊盘,导线连接到所述焊盘上;以及
保护层,其形成在所述半导体装置的表面上在所述焊盘附近的位置处,并且被成形为使得所述保护层的高度朝所述焊盘减小。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中
所述保护层的面朝所述焊盘的表面被形成为朝所述焊盘下降的弯曲状。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中
所述保护层的面朝所述焊盘的表面被形成为朝所述焊盘下降的阶梯状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中
所述保护层的面朝所述焊盘的表面朝所述焊盘向下倾斜。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置,其中
所述保护层设置在位于第一侧的所述半导体装置的所述表面的区域上,在将所述导线焊接到所述半导体装置的电线焊接过程中朝所述第一侧牵引所述导线,并且在位于与所述第一侧相对的第二侧的所述半导体装置的所述表面的区域没有设置所述保护层。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置,其中
所述保护层的所述表面的水平高度低于连接到所述焊盘的所述导线的延长部在所述延长部被固定在所述延长部被切断的位置上时穿过的区域。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置,其中
所述保护层的所述表面的水平高度高于所述导线的切断端在不存在所述保护层的条件下切断所述导线的延长部时所占用的路线。
8.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置,其中
与在不存在所述保护层的条件下切断所述导线的延长部时所述导线的切断端所占用的路线离开所述半导体装置的所述表面的位置相比,所述保护层的所述表面位于更靠近所述焊盘的位置。
9.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置,其中
所述保护层的所述表面的水平高度低于连接到所述焊盘的所述导线的延长部在所述延长部被固定在所述延长部被切断的位置上时穿过的区域;
所述保护层的所述表面的所述水平高度高于所述导线的切断端在不存在所述保护层的条件下切断所述导线的所述延长部时所占用的路线;并且
与所述路线离开所述半导体装置的所述表面的位置相比,所述保护层的所述表面位于更靠近所述焊盘的位置。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置,其中
所述保护层包括硅胶或聚酰亚胺带。
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