[发明专利]显示装置、其制造方法及溅射靶

权利要求书

1.一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分析出并存在于所述Al合金膜的接触表面的显示装置，其中，

所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素X1、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素X2，形成有最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，最大直径为150nm以上的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物的密度小于1个/100μm²。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过300℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，通过150℃以上230℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，通过200℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述Al合金膜中以X1-X2和Al-X1-X2表示的金属间化合物的合计面积为全部金属间化合物的合计面积的50％以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其中，所述Al合金膜中的所述元素X1为Ni、所述元素X2为Ge及Cu中的至少一种，通过300℃以下的热处理，形成有Al-Ni-Ge及Al-Ni-Cu中的至少一种金属间化合物。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述Al合金膜的接触表面的算术平均粗糙度Ra为2.2nm以上20nm以下。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述Al合金膜含有合计0.05～2原子％的所述元素X1。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述元素X2为Cu及Ge中的至少一种，所述Al合金膜含有合计0.1～2原子％的Cu及Ge中的至少一种。

11.根据权利要求9或10所述的显示装置，其中，所述Al合金膜还含有合计0.05～0.5原子％的至少1种稀土类元素。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述稀土类元素选自La、Nd及Gd中的元素的至少1种。

13.一种权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，在使所述Al合金膜与所述氧化物导电膜直接接触之前，使其与碱溶液接触，将Al合金膜表面的算术平均粗糙度Ra调整为2.2nm以上20nm以下。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述碱溶液为包含氨或链烷醇胺类的水溶液。

15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述算术平均粗糙度Ra的调整通过抗蚀膜的剥离工序来进行。

16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述Al合金膜含有0.05～0.5原子％的Ni作为所述元素X1，含有0.4～1.5原子％的Ge作为所述元素X2，且还含有合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组中的至少1种元素，同时，Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述稀土类元素组由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy构成。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，还含有0.05～0.4原子％的Co作为所述X1元素，并且，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下。

19.一种溅射靶，其含有0.05～0.5原子％的Ni、0.4～1.5原子％的Ge、及合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组的至少1种元素，同时，Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下，剩余部分为Al及不可避免的杂质。

20.根据权利要求19所述的溅射靶，其中，所述稀土类元素组由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy构成。

21.根据权利要求19或20所述的溅射靶，其中，还含有0.05～0.4原子％的Co，并且，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下。