[发明专利]用于光刻操作的间隔件双重图案化

权利要求书

1.一种在半导体装置制作期间图案化布局元件的方法，其包括：

沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定所述布局元件的关键特征；

在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料仍保持在邻近于所述第一图案处但从所述衬底的其它区域被移除；

从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；

用最终材料填充所述间隔件图案；及

修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在修整所述经填充图案之后移除剩余间隔件材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括确定所述初始图案，其中确定所述初始图案包括：

选择第一及第二布局元件；

界定经重新确定大小的第一元件的外形的数据表示；及

组合所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的数据表示以得出所述初始图案的数据表示。

4.根据权利要求3所述的方法，其中组合所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的所述数据表示包括对所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的所述数据表示进行逻辑“或”运算。

5.根据权利要求3所述的方法，其中界定经重新确定大小的第一元件的外形的数据表示包括重新确定所述第一布局元件的大小、选择经重新确定大小的数据元件的外形及界定所述外形的数据表示。

6.根据权利要求5所述的方法，其中重新确定所述第一布局元件的大小包括在每一尺寸上以两个间隔件宽度来重新确定所述第一布局元件的大小。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括确定所述初始图案，其中确定所述初始图案包括：

选择第一及第二布局元件；

重新确定所述第一布局元件的大小并界定所述经重新确定大小的第一元件的数据表示；及

组合所述经重新确定大小的第一元件的所述数据表示与所述第二元件的数据表示；及

组合所述第一元件的数据表示与所述经重新确定大小的第一元件及所述第二元件的数据表示的所述组合以得出所述初始图案的表示。

8.根据权利要求7所述的方法，其中组合所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的所述数据表示包括对所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的所述数据表示进行逻辑“或”运算。

9.根据权利要求7所述的方法，其中组合所述第一元件的数据表示与所述经重新确定大小的第一元件及所述第二元件的数据表示的所述组合包括对所述第一元件的数据表示与所述经重新确定大小的第一元件及所述第二元件的数据表示的所述组合进行逻辑“与非”运算。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述间隔件图案来界定所述布局元件之间的空间而非界定所述元件本身。

11.一种具有多个层的半导体装置，其中层包括通过间隔件双重图案化过程形成的一连串元件，方法包括：

沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定所述布局元件的关键特征；

在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料仍保持在邻近于所述第一图案处但从所述衬底的其它区域被移除；

从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；

用最终材料填充所述间隔件图案；及

修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述布局元件是仅使用两个掩模层形成的。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述方法进一步包括确定所述初始图案且确定所述初始图案的过程包括：

选择第一及第二布局元件；

界定经重新确定大小的第一元件的外形的数据表示；及

组合所述第一元件的所述外形的所述数据表示与所述第二元件的数据表示以得出所述初始图案的数据表示。