[发明专利]非水电解质二次电池无效
申请号: | 200980102338.5 | 申请日: | 2009-06-18 |
公开(公告)号: | CN101911374A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 住原正则;山田雅一;西冈努 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01M10/40 | 分类号: | H01M10/40;H01M4/02;H01M4/64;H01M4/70 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水电 二次 电池 | ||
1.一种非水电解质二次电池,其具备电极组,该电极组通过将在正极集电体上形成有正极合剂层的正极板与在负极集电体上形成有负极合剂层的负极板夹隔隔膜进行卷绕或层叠而成,
所述正极合剂层中以与所述正极板的长度方向正交的方式设有至少1个以上的薄壁部。
2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,在所述正极集电体的两个面中,至少在所述电极组的内周侧的面上形成有所述正极合剂层的薄壁部。
3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,在所述正极集电体的两个面上形成有所述正极合剂层的薄壁部,且在所述电极组的内周侧的面上形成的薄壁部与在所述电极组的外周侧的面上形成的薄壁部以相位偏移的方式形成。
4.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,在所述正极集电体的两个面上形成有所述正极合剂层的薄壁部,且在所述电极组的内周侧的面上形成的薄壁部的宽度比在所述电极组的外周侧的面上形成的薄壁部的宽度宽。
5.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,形成于所述正极合剂层的多个薄壁部以各薄壁部的宽度从所述电极组的卷绕开始侧到卷绕结束侧逐渐变窄的方式形成。
6.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,形成于所述正极合剂层的多个薄壁部在所述正极集电体的两个面上形成,且在所述电极组的内周侧的面上形成的薄壁部的间隔比在所述电极组的外周侧的面上形成的薄壁部的间隔窄。
7.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,形成于所述正极合剂层的多个薄壁部以各薄壁部间的间隔从所述电极组的卷绕开始侧到卷绕结束侧逐渐变宽的方式形成。
8.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,至少在位于所述电极组的卷绕开始侧的曲率半径小的部位形成有所述正极合剂层的薄壁部。
9.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,所述正极合剂层中以与所述正极板的长度方向正交的方式设有至少1个以上的低密度活性物质层来代替所述薄壁部。
10.根据权利要求9所述的非水电解质二次电池,其中,在所述正极集电体的两个面中,至少在所述电极组的内周侧的面上形成所述正极合剂层的低密度活性物质层。
11.根据权利要求9所述的非水电解质二次电池,其中,在所述正极集电体的两个面上形成有所述正极合剂层的低密度活性物质层,且在所述电极组的内周侧的面上形成的低密度活性物质层与在所述电极组的外周侧的面上形成的低密度活性物质层以相位偏移的方式形成。
12.根据权利要求9所述的非水电解质二次电池,其中,在所述正极集电体的两个面上形成有所述正极合剂层的低密度活性物质层,且在所述电极组的内周侧的面上形成的低密度活性物质层的宽度比在所述电极组的外周侧的面上形成的低密度活性物质层的宽度宽。
13.根据权利要求9所述的非水电解质二次电池,其中,形成于所述正极合剂层的多个低密度活性物质层以各低密度活性物质层的宽度从所述电极组的卷绕开始侧到卷绕结束侧逐渐变窄的方式形成。
14.根据权利要求9所述的非水电解质二次电池,其中,形成于所述正极合剂层的多个低密度活性物质层以各低密度活性物质层的间隔从所述电极组的卷绕开始侧到卷绕结束侧逐渐变宽的方式形成。
15.根据权利要求9所述的非水电解质二次电池,其中,至少在位于所述电极组的卷绕开始侧的曲率半径小的部位形成有所述正极合剂层的低密度活性物质层。
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