[发明专利]用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

权利要求书

1.一种工艺，其包含：

在膜上形成外延突起；

在所述外延突起上方保形地形成容器型导体；

在所述容器型导体上方和之上形成电极；以及

将所述电极耦合到可变电阻材料存储器(VRMM)单元。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述容器型导体是金属，且其中形成所述容器型导体包括：

在所述膜上方形成氮化物膜；

在所述氮化物膜上方形成电介质第一膜；

穿过所述电介质第一膜和所述氮化物膜来图案化并蚀刻凹部以在所述膜上停止；形成所述外延突起；

在所述外延突起上方和之上形成导电第一膜；以及

在所述外延突起上形成导电间隔物第二膜，其中所述导电第一膜和所述导电间隔物第二膜形成所述容器型导体。

3.根据权利要求1所述的工艺，其中将所述电极耦合到所述VRMM单元进一步包括：

形成顶部电极以接触所述VRMM单元；以及

将所述顶部电极耦合到位线。

4.根据权利要求1所述的工艺，其中形成所述容器型导体包括：

在所述膜上方形成氮化物膜；

在所述氮化物膜上方形成电介质第一膜；

穿过所述电介质第一膜和所述氮化物膜来图案化并蚀刻凹部以在所述膜上停止；

形成所述外延突起；

在所述外延突起上通过化学气相沉积工艺来保形地形成所述容器型导体。(非肖特基)

5.根据权利要求1所述的工艺，其中形成所述容器型导体包括：

在所述膜上方形成氮化物膜；

在所述氮化物膜上方形成电介质第一膜；

穿过所述电介质第一膜和所述氮化物膜来图案化并蚀刻凹部以在所述膜上停止；

形成所述外延突起，其中所述外延突起是n掺杂半导电材料；

在所述外延突起上方和之上形成金属第一膜；以及

在所述外延突起上形成金属间隔物第二膜，其中所述金属第一膜和所述金属间隔

物第二膜形成所述容器型导体。

6.一种设备，其包含：

外延突起，其安置于膜上；

导电容器，其经安置以封围所述外延突起；

电极，其安置于所述容器型导体上方和之上；以及

可变电阻材料存储器(VRMM)单元，其耦合到所述电极。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述导电容器是来源于盖和间隔物圆柱体的金属。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述导电容器是来源于盖和间隔物圆柱体的半导电材料。

9.根据权利要求6所述的设备，其中所述膜是安置于p掺杂半导电衬底上的n掺杂半导电材料，且其中所述外延突起是n掺杂半导电材料。

10.根据权利要求6所述的设备，其中所述导电容器是来源于盖和间隔物圆柱体的金属，其中所述膜是安置于p掺杂半导电衬底上的n掺杂半导电材料，且其中所述外延突起是n掺杂半导电材料。

11.根据权利要求6所述的设备，其中所述VRMM单元是计算机系统的一部分。

12.一种工艺，其包含：

在半导电膜中形成岛状物以包括岛状物第一高度；

将所述岛状物第一高度降低到岛状物第二高度，其中所述岛状物第二高度由半导电膜第一高度中的第一和第二壁界定，所述第一和第二壁排列于与第一方向正交的第二方向上；

在所述岛状物第二高度上方并抵靠所述岛状物第二高度而形成二极管插塞，其中所述二极管插塞还接触所述第一和第二壁；

在所述二极管插塞上方和之上形成电极；以及

将所述电极耦合到可变电阻材料存储器(VRMM)单元。

13.根据权利要求12所述的工艺，其中形成所述二极管插塞包括在所述岛状物第二高度处且在所述第一与第二壁之间填充金属。

14.根据权利要求12所述的工艺，其中形成所述岛状物包括：

在所述半导电膜上方形成经图案化的氮化物膜；以及

蚀刻以暴露半导电材料衬底。