[发明专利]生长Ⅲ族氮化物晶体的方法无效
| 申请号： | 200980102461.7 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101910477A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤史隆;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/02;C23C16/34;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 氮化物 晶体 方法 | ||
1.一种生长III族氮化物晶体的方法，所述方法包括如下步骤：
准备衬底(10)，所述衬底包含构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；
通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及
在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。
2.如权利要求1所述的生长III族氮化物晶体的方法，其中：
所述主面(10m)具有相对于所述III族氮化物晶种(10a)的(0001)面为10°以下的取向偏离角，以及
所述小平面(10ms、10mt、10mu)包含选自{11-2m}面和{10-1n}面中的至少一个几何等价的晶面，m为正整数，n为正整数。
3.如权利要求1所述的生长III族氮化物晶体的方法，其中使用选自HCl气体、Cl2气和H2气中的至少一种气体实施所述气相腐蚀。
4.如权利要求1所述的生长III族氮化物晶体的方法，其中其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)具有1μm～1mm的平均粗糙度Ra。
5.如权利要求1所述的生长III族氮化物晶体的方法，其中在所述气相腐蚀之后，所述衬底(10)具有300μm以下的厚度。
6.如权利要求1所述的生长III族氮化物晶体的方法，其中在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成所述多个小平面(10ms、10mt、10mu)的步骤之后，在不移动所述衬底(10)的条件下，连续实施在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10ms、10mt、10mu)上生长III族氮化物晶体(20)的步骤。
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