[发明专利]凹凸图案形成方法和利用该方法的磁记录介质的制造方法

权利要求书

1.一种凹凸图案形成方法，其特征在于，包括下述工序(1)、工序(2)和工序(3)，

工序(1)：将包含下述组成式(A)所表示的、通过凝胶渗透色谱测定的标准聚苯乙烯换算的重均分子量为10000以上的倍半硅氧烷化合物的溶液涂布在被加工材料表面上以形成薄膜，

工序(2)：将具有凹凸图案的母模按压在该薄膜上，

工序(3)：将所述母模从所述薄膜上剥离，

R¹R²Si₂O₃    组成式(A)

在上述组成式(A)中，R¹和R²各自独立地表示可以被取代的碳原子数为1～8的烷基、可以被取代的碳原子数为2～8的链烯基、可以被取代的碳原子数为1～6的烷氧基或可以被取代的碳原子数为6～10的芳基。

2.根据权利要求1所述的凹凸图案形成方法，其特征在于，所述工序(2)在10～40℃的温度下进行。

3.根据权利要求1或2所述的凹凸图案形成方法，其特征在于，在所述工序(2)中按压母模的压力为100～250MPa。

4.根据权利要求1所述的凹凸图案形成方法，其特征在于，所述倍半硅氧烷化合物包含下述式(B)所示结构的重复单元：

在上述式(B)中，R¹和R²各自独立地表示可以被取代的碳原子数为1～8的烷基、可以被取代的碳原子数为2～8的链烯基、可以被取代的碳原子数为1～6的烷氧基或可以被取代的碳原子数为6～10的芳基。

5.根据权利要求4所述的凹凸图案形成方法，其特征在于，上述式(B)的R¹和R²各自独立地为甲基或苯基。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的凹凸图案形成方法，其特征在于，所述倍半硅氧烷化合物的通过凝胶渗透色谱测定的标准聚苯乙烯换算的重均分子量为10000～30000。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的凹凸图案形成方法，其特征在于，所述倍半硅氧烷化合物是聚二苯基倍半硅氧烷。

8.一种凹凸图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

使用在基体上具有磁性膜的基板作为被加工材料，通过权利要求1～7的任一项所述的凹凸图案形成方法在该磁性膜上形成由薄膜构成的凹凸图案，

除去在该凹凸图案的凹陷部分的底部存在的所述薄膜，

将通过该除去而暴露出的、在所述凹陷部分的底部存在的所述磁性膜的至少一部分除去。

9.一种凹凸图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

使用将基体、磁性膜、碳薄膜按该顺序叠层的基板作为被加工材料，通过权利要求1～7的任一项所述的凹凸图案形成方法在该碳薄膜上形成由薄膜构成的凹凸图案，

除去在该凹凸图案的凹陷部分的底部存在的所述薄膜，

将通过该除去而暴露出的、在所述凹陷部分的底部存在的所述碳薄膜除去，

将通过除去碳薄膜而暴露出的、在所述凹陷部分的底部存在的所述磁性膜的至少一部分除去。

10.根据权利要求9所述的凹凸图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，通过氧气蚀刻除去所述碳薄膜，并且通过离子铣削除去所述磁性膜。

11.根据权利要求9或10所述的凹凸图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述碳薄膜的厚度为10～30nm。

12.一种磁记录介质，采用权利要求9～11的任一项所述的凹凸图案化磁记录介质的制造方法获得。

13.一种磁记录再生装置，其特征在于，具有权利要求12所述的磁记录介质。