[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：主绝缘栅型半导体元件；尺寸比该主绝缘栅型半导体元件小的电流检测用绝缘栅型半导体元件；以及连接在上述主绝缘栅型半导体元件和上述电流检测用绝缘栅型半导体元件之间的电阻，上述半导体装置根据该电阻两端的电位差来检测流过上述主绝缘栅型半导体元件的电流，其特征在于，

在上述半导体装置中，上述电流检测用绝缘栅型半导体元件的反向偏压时的耐压，比上述主绝缘栅型半导体元件的反向偏压时的耐压高。

2.一种半导体装置，具有：主绝缘栅型半导体元件；尺寸比该主绝缘栅型半导体元件小的电流检测用绝缘栅型半导体元件；以及连接在上述主绝缘栅型半导体元件和上述电流检测用绝缘栅型半导体元件之间的电阻，上述半导体装置根据该电阻两端的电位差来检测流过上述主绝缘栅型半导体元件的电流，其特征在于，在上述半导体装置中，

上述电流检测用绝缘栅型半导体元件的栅极绝缘膜的绝缘耐压，比反向偏压时能流过上述电流检测用绝缘栅型半导体元件的最大电流与上述电阻之积大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述主绝缘栅型半导体元件具有：

在第1个第1导电型半导体层的第1主面的表面层上选择性设置的第1个第2导电型半导体区域；

在该第1个第2导电型半导体区域的表面层上选择性设置的第1个第1导电型高浓度半导体区域；

在上述第1个第2导电型半导体区域的、夹在上述第1个第1导电型高浓度半导体区域和上述第1个第1导电型半导体层之间的部分的表面上，隔着第1栅极绝缘膜设置的第1栅电极；

与上述第1个第1导电型高浓度半导体区域和上述第1个第2导电型半导体区域相接的第1电极；以及

在上述第1个第1导电型半导体层的第2主面侧设置的第2电极，

上述电流检测用绝缘栅型半导体元件具有：

在第2个第1导电型半导体层的第1主面的表面层上选择性设置的第2个第2导电型半导体区域；

在该第2个第2导电型半导体区域的表面层上选择性设置的第2个第1导电型高浓度半导体区域；

在上述第2个第2导电型半导体区域的、夹在上述第2个第1导电型高浓度半导体区域和上述第2个第1导电型半导体层之间的部分的表面上，隔着第2栅极绝缘膜设置的第2栅电极；

与上述第2个第1导电型高浓度半导体区域和上述第2个第2导电型半导体区域相接的第3电极；以及

在上述第2个第1导电型半导体层的第2主面侧设置的第4电极，

在上述第1电极和上述第3电极之间连接有上述电阻，

上述第2电极与上述第4电极被短路，

上述第1个第2导电型半导体区域的扩散深度比上述第2个第2导电型半导体区域的扩散深度浅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述主绝缘栅型半导体元件具有：

在第1个第1导电型半导体层的第1主面的表面层上选择性设置的第1个第2导电型半导体区域；

在该第1个第2导电型半导体区域的表面层上选择性设置的第1个第1导电型高浓度半导体区域；

在上述第1个第2导电型半导体区域的、夹在上述第1个第1导电型高浓度半导体区域和上述第1个第1导电型半导体层之间的部分的表面上，隔着第1栅极绝缘膜设置的第1栅电极；

与上述第1个第1导电型高浓度半导体区域和上述第1个第2导电型半导体区域相接的第1电极；以及

在上述第1个第1导电型半导体层的第2主面侧设置的第2电极，

上述电流检测用绝缘栅型半导体元件具有：

在第2个第1导电型半导体层的第1主面的表面层上选择性设置的第2个第2导电型半导体区域；

在该第2个第2导电型半导体区域的表面层上选择性设置的第2个第1导电型高浓度半导体区域；

在上述第2个第2导电型半导体区域的、夹在上述第2个第1导电型高浓度半导体区域和上述第2个第1导电型半导体层之间的部分的表面上，隔着第2栅极绝缘膜设置的第2栅电极；

与上述第2个第1导电型高浓度半导体区域和上述第2个第2导电型半导体区域相接的第3电极；以及

在上述第2个第1导电型半导体层的第2主面侧设置的第4电极，

在上述第1电极和上述第3电极之间连接有上述电阻，

上述第2电极与上述第4电极被短路，

上述第1个第2导电型半导体区域的端部的曲率比上述第2个第2导电型半导体区域的端部的曲率小。