[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管和显示器

权利要求书

1.薄膜晶体管，其包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：

该沟道层含有铟、锗和氧；并且

该沟道层具有0.5-0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该沟道层具有0.5-0.9的由In/(In+Ge)表示的组成比。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该沟道层具有0.6-0.9的由In/(In+Ge)表示的组成比。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该沟道层具有0.5-0.85的由In/(In+Ge)表示的组成比。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该沟道层具有0.5-0.75的由In/(In+Ge)表示的组成比。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其中该沟道层具有10³Ω·cm-10⁶Ω·cm的比电阻。

7.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其中该沟道层为无定形。

8.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其中该栅极绝缘层由氧化硅制成。

9.显示器，其包括：

根据权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管；和

由该薄膜晶体管驱动的有机发光二极管。

10.场效应晶体管，其包括由含有Zn、In和Ge的氧化物形成的沟道，其中该氧化物具有表2中由a、b、c和d包围的范围内的组成。

11.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由a、b、e、m和l包围的范围内的组成。

12.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由a、b、e、f和g包围的范围内的组成。

13.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由a、n、t和h包围的范围内的组成。

14.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由h、i、b、e、k和l包围的范围内的组成。

15.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由h、i、n和t包围的范围内的组成。

16.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由s、u、x、y、v和b包围的范围内的组成。

17.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物具有表2中由s、u、t和n包围的范围内的组成。

18.根据权利要求16所述的场效应晶体管，其具有10^-13(A)以下的关电流。

19.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中该氧化物为无定形。

20.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其还包括栅极绝缘膜，

其中该栅极绝缘膜由氧化硅制成。

21.显示器，其包括：

根据权利要求10所述的场效应晶体管；和

有机发光二极管。