[发明专利]刻蚀非对称晶片的方法、包含非对称刻蚀晶片的太阳能电池及制造该太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种刻蚀晶片的方法，该方法包括以下步骤：

选择性地仅刻蚀所述晶片的一面；和

以不同的刻蚀率非对称地刻蚀所述晶片的两面。

2.根据权利要求1所述的刻蚀晶片的方法，其中，所述仅刻蚀所述晶片的一面的步骤包括以下步骤：

将两个晶片的彼此面对的面无间隙地紧密粘合在一起；

同时刻蚀紧密粘合的晶片的暴露于外的面；以及

将紧密粘合的晶片分开。

3.根据权利要求1所述的刻蚀晶片的方法，其中，所述非对称地刻蚀所述晶片的两面的步骤包括以下步骤：

按在各晶片之间保持预定间隙的方式交叠多个晶片；

刻蚀所交叠的晶片；以及

将所交叠的晶片分开。

4.根据权利要求3所述的刻蚀晶片的方法，其中，刻蚀溶液能渗入的各晶片之间的间隙具有不同的宽度。

5.根据权利要求3所述的刻蚀晶片的方法，其中，所述多个晶片按具有对应中心线或具有交叠部分的方式相互交叠。

6.根据权利要求2或3所述的刻蚀晶片的方法，其中，连续地或者非连续地执行各个步骤。

7.根据权利要求1所述的刻蚀晶片的方法，其中，利用湿法刻蚀、干法刻蚀以及湿法-干法组合刻蚀中的任何一种来执行所述刻蚀晶片的步骤。

8.一种太阳能电池，其是体硅太阳能电池，该太阳能电池包括：

具有受光表面和非受光表面的硅衬底，

其中，所述受光表面和所述非受光表面具有不同形状的不平坦结构。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，形成在所述受光表面上的不平坦结构在数量、大小、高度和形状中的一个或更多个方面不同于形成在所述非受光表面上的不平坦结构。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，形成在所述受光表面上的不平坦结构的数量大于形成在所述非受光表面上的不平坦结构的数量。

11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述受光表面的反射率低于所述非受光表面的反射率。

12.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的受光表面上顺序形成有掺杂了半导体杂质的发射极、防反射层以及正面电极，在所述衬底的所述非受光表面上顺序形成有背面场BSF层和背面电极。

13.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，通过区分刻蚀执行时间、刻蚀执行位置或者刻蚀方法来进行刻蚀。

14.一种制造体硅太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

选择性地仅刻蚀硅衬底的一面，或者以不同的刻蚀率非对称地刻蚀所述硅衬底的两面。