[发明专利]偏光元件有效
申请号: | 200980104097.8 | 申请日: | 2009-07-31 |
公开(公告)号: | CN101939672A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 米田嘉隆;三浦义从;曾根原寿明 | 申请(专利权)人: | 豪雅冠得股份有限公司 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02B27/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏光 元件 | ||
1.一种偏光元件,其特征在于,
在还原性气氛中对近似针状的大量金属卤化物微粒按照其长轴方向朝向大致相同的方向的方式进行取向并分散而成的玻璃基体进行热处理,使所述金属卤化物微粒被还原,从而在所述还原前所述各个金属卤化物微粒占据的多数区域内具有生成的金属微粒,
在所述多数区域中的至少一部分区域中存在的所述金属微粒的个数,在每个所述区域中为多个,
对于所述多数区域的各个的体积,所述金属卤化物微粒的总数的90%以上为2500~2500000nm3,
对于在所述每个区域中存在的金属微粒的体积或在所述每个区域中存在的多个金属微粒的体积总和,所述金属卤化物微粒的总数的90%以上为所述区域的体积的4~40%。
2.根据权利要求1所述的偏光元件,其特征在于,在所述多数区域中的至少一部分区域中存在的所述金属微粒的个数为3个以上。
3.根据权利要求2所述的偏光元件,其特征在于,在所述多数区域中20%以上的区域中存在的所述金属微粒的个数为3个以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的偏光元件,其特征在于,对于所述金属微粒的体积,经所述还原而生成的金属微粒的总数的90%以上为100000nm3以下。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的偏光元件,其特征在于,所述金属微粒包括金属微粒长宽比小于2的微粒,所述金属微粒长宽比是通过将所述金属微粒的在与所述金属卤化物微粒的长轴方向平行的方向上的尺寸除以其在与所述金属卤化物微粒的短轴方向平行的方向上的尺寸而求出的。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的偏光元件,其特征在于,对于所述金属微粒,经所述还原而生成的金属微粒的总数的90%以上为所述金属微粒长宽比为9以下的微粒。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的偏光元件,其特征在于,测定距离L=15mm的近距离消光比为42dB以上。
8.一种偏光元件,其特征在于,
在还原性气氛中对近似针状的大量金属卤化物微粒按照其长轴方向朝向大致相同的方向的方式进行取向并分散而成的玻璃基体进行热处理,使所述金属卤化物微粒被还原,从而在所述还原前所述各个金属卤化物微粒占据的多数区域内具有生成的金属微粒,
在所述多数区域中的至少一部分区域中存在的所述金属微粒的个数,在每个所述区域中为多个,
对于所述多数区域的各个的体积,所述金属卤化物微粒的总数的90%以上为2500~2500000nm3,
对于在所述每个区域中存在的金属微粒的体积或在所述每个区域中存在的多个金属微粒的体积总和,所述金属卤化物微粒的总数的90%以上为所述区域的体积的4~40%,
所述偏光元件的、对于在与所述金属卤化物微粒的长轴方向大致平行的方向上具有电场振动方向的直线偏振波的透射率谱的形状,相对于理论上由金属微粒长宽比的分布求出的透射率谱形状是在长波长侧扩展,所述金属微粒长宽比是将通过还原所述金属卤化物微粒而生成的金属微粒的、在与所述金属卤化物微粒的长轴方向平行的方向上的尺寸除以其在与所述金属卤化物微粒的短轴方向平行的方向上的尺寸而求出的。
9.根据权利要求8所述的偏光元件,其特征在于,所述偏光元件的、对于在与所述金属卤化物微粒的长轴方向大致平行的方向上具有电场振动方向的直线偏振波的透射率谱,透射率接近1%的波长带宽,要宽于理论上由所述金属微粒长宽比的分布求出的透射率谱中透射率接近1%的波长带宽。
10.根据权利要求8或9所述的偏光元件,其特征在于,在所述偏光元件的、对于在与所述金属卤化物微粒的长轴方向大致平行的方向上具有电场振动方向的直线偏振波的透射率谱中,至少在光的波长为400~2500nm的区带,透射率大致为50%以下。
11.根据权利要求1~3、8、9中任一项所述的偏光元件,其特征在于,所述金属卤化物微粒为银卤化物或铜卤化物。
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