[发明专利]利用等离子体离子注入的磁畴图案化

权利要求书

1.一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，该方法包含下列步骤：

将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；

图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及

将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。

2.如权利要求1所述的方法，其中该图案化为纳米压印图案化。

3.如权利要求1所述的方法，其中该等离子体包含氧、氟、硼、磷、钨、砷、氢、氦、氩、氮、碳或硅离子。

4.如权利要求1所述的方法，还包含在将该磁性薄膜暴露于等离子体的步骤后，退火该磁性薄膜，由此将经注入的离子驱入该磁性薄膜中期望深度。

5.如权利要求1所述的方法，其中该等离子体是通过连接射频产生器在该磁性薄膜与真空腔室壁之间来产生，该基板位在真空腔室中。

6.如权利要求5所述的方法，其中将该磁性薄膜暴露于等离子体的步骤包括施加直流偏压在该薄膜与该真空腔室壁之间。

7.如权利要求5所述的方法，其中将该磁性薄膜暴露于等离子体的步骤包括施加射频偏压在该薄膜与该真空腔室壁之间。

8.如权利要求1所述的方法，还包含下列步骤：

在该限定的步骤前，沉积该磁性薄膜在基板上；

在该沉积的步骤前，形成多个字线在该基板上；以及

在该暴露的步骤后，形成多个位线在该些磁畴的顶部上，

其中该些字线与该些位线彼此交会在该些磁畴的位置处，以及其中各磁畴为不同的磁性存储元件的一部分。

9.一种用于在多个薄膜磁性媒介磁盘上限定多个磁畴的方法，该方法包含下列步骤：

将该些磁盘的两侧面皆涂覆以抗蚀剂；

图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及

将该些磁盘的两侧面上的磁性薄膜同时暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的多个实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。

10.一种用于多个薄膜磁性媒介磁盘的等离子体注入处理的工具，该些磁盘具有中心圆孔，该工具包含：

真空腔室，其维持在接地电势；

气体入口阀件，其配置以将受控的气体量引入该腔室；

磁盘承载装置，其配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，而与各磁盘在相应的中心圆孔接触并使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及

射频信号产生器，其电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。

11.如权利要求10所述的工具，其中该磁盘承载装置为杆，该杆的直径小于该些磁盘的中心孔，以及其中该磁盘承载装置包括多个夹件，该些夹件接附到该些磁盘的中心圆孔，各夹件配置以固持该些磁盘的其一磁盘在该装置上，并提供该些磁盘的该其一磁盘与该装置间的电连接。

12.如权利要求10所述的工具，其中该磁盘承载装置为框架，其配置以在单一平面中固持复数个磁盘，以及其中该磁盘承载装置包括多个夹件，该些夹件接附到该些磁盘的中心圆孔，各夹件配置以固持该些磁盘的其一磁盘在该装置上，并提供该些磁盘的该其一磁盘与该装置间的电连接。

13.一种存储器件，包含：

第一连续薄膜，该第一连续薄膜包括第一限定阵列的磁畴，

其中该些磁畴由该连续薄膜的多个非磁性区域所分离，以及其中该第一限定阵列的磁畴的各者为不同的磁性存储元件的一部分。

14.如权利要求13所述的存储器件，还包含：

多个字线，位在该第一连续薄膜下方；以及

多个位线，位在该第一连续薄膜上方，

其中该些字线与该些位线彼此交会在该些磁畴的位置处。

15.如权利要求13所述的存储器件，还包含：

第二连续薄膜，其平行于该第一连续薄膜，该第二连续薄膜包括第二限定阵列的磁畴，

其中该些第二磁畴的各者与该些第一磁畴的相应第一磁畴重迭。