[发明专利]用于半导体晶片处理的高效静电吸盘

权利要求书

1.一种多层式静电吸盘，包括：

具有低金属离子浓度的高纯度聚芳醚酮部件，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件作为所述静电吸盘中的介电质；以及

预先形成的电极，其埋置在所述高纯度聚芳醚酮部件中。

2.根据权利要求1所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件含有下列任一物质的含量不超过百万分之一，所述物质包括铝、锑、砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铬、钴、铜、镓、锗、铪、铟、铁、铅、锂、汞、镁、锰、钼、镍、铌、磷、钾、铷、钪、硒、硅、银、钠、锶、硫、钽、鍗、铊、锡、钛、钨、钒、钇、锌以及锆。

3.根据权利要求2所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件包含第一层以及第二层，所述第一层和所述第二层热塑性地彼此接合，并且其中，所述第一层热塑性地结合至衬底平台。

4.根据权利要求3所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件能耐受等离子体蚀刻环境，所述等离子体蚀刻环境包含利用功率源激发的氧气。

5.根据权利要求3所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件在含有100％氧气的等离子体蚀刻环境下暴露100小时之后具有10.3平方厘米的表面积以及具有低于0.14克/平方厘米的质量损失。

6.根据权利要求3所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件能耐受碱性化合物、芳香性碳氢化合物、醇以及氢化碳氢化合物。

7.根据权利要求3所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件适于在温度高于200℃的处理环境下连续操作。

8.根据权利要求7所述的多层式静电吸盘，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件的表面经过等离子体处理，以改变表面参数。

9.一种静电吸盘组件，包括：

衬底支撑平台；

第一聚芳醚酮层，其具有第一表面，所述第一表面热塑性地接合至所述衬底支撑平台；

第二聚芳醚酮层，其具有第二表面，所述第二表面构造成支撑衬底；以及

电极部件，其埋置在所述第一聚芳醚酮层的第二表面和所述第二聚芳醚酮层的第一表面之间；

其中，所述第一聚芳醚酮层和所述第二聚芳醚酮层热塑性地接合在一起。

10.根据权利要求9所述的静电吸盘组件，其中，聚芳醚酮层在等离子体环境中经过表面处理，所述等离子体环境包含利用功率源激发的氧气。

11.根据权利要求10所述的静电吸盘组件，其中，所述静电吸盘组件适于在200℃或更高温的热环境中连续使用。

12.根据权利要求11所述的静电吸盘组件，其中，所述第一和第二聚芳醚酮层含有下列各物质的含量低于百万分之一，所述物质包括铝、锑、砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铬、钴、铜、镓、锗、铪、铟、铁、铅、锂、汞、镁、锰、钼、镍、铌、磷、钾、铷、钪、硒、硅、银、钠、锶、硫、钽、鍗、铊、锡、钛、钨、钒、钇、锌以及锆。

13.一种制造静电吸盘组件的方法，包括：

将预先形成的电极放置在第一高纯度聚芳醚酮层和第二高纯度聚芳醚酮层之间；

将所述第一和第二高纯度聚芳醚酮层热塑性地接合在一起；并且

将所述第一聚芳醚酮层热塑性地接合至衬底支撑平台。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括将所述静电吸盘组件暴露在等离子体环境中，以清洁所述第一和第二聚芳醚酮层的表面，所述等离子体环境包含利用功率源激发的氧气。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述高纯度聚芳醚酮层含有下列各物质的含量低于百万分之一，所述物质包括铝、锑、砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铬、钴、铜、镓、锗、铪、铟、铁、铅、锂、汞、镁、锰、钼、镍、铌、磷、钾、铷、钪、硒、硅、银、钠、锶、硫、钽、鍗、铊、锡、钛、钨、钒、钇、锌以及锆。