[发明专利]测量粒子束特性的装置及其方法有效
申请号: | 200980105055.6 | 申请日: | 2009-02-12 |
公开(公告)号: | CN101952942A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 约瑟·C·欧尔森;阿塔尔·古普塔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 粒子束 特性 装置 及其 方法 | ||
1.一种装置,包括:
主体,包括定义腔体的侧壁、第一端以及入射孔,其中所述入射孔接近所述第一端以接收多个粒子且连通所述腔体;以及
至少一侦测器,配置在所述腔体中且构造成用以侦测至少一部分的所述粒子。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述主体具有至少一维的转动自由度。
3.根据权利要求2所述的装置,还包括接近所述主体的所述入射孔的第一场抑制组件。
4.根据权利要求1所述的装置,还包括至少一通道,所述通道连通所述入射孔且接近所述至少一侦测器。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一侦测器具有蜂巢结构。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置包括多个侦测器,所述多个侦测器具有平行关系。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一侦测器具有独立于所述主体的一维的转动自由度。
8.根据权利要求1所述的装置,还包括:
出射孔,接近相对于所述入射孔的所述主体的第二端,其中所述入射孔、所述腔体以及所述出射孔彼此连通;
第一场抑制组件,配置在接近所述入射孔处;以及
第二场抑制组件,配置在接近所述出射孔处。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一场组件包括入射间隙与多个横向配置的第一磁构件,所述横向相邻的第一磁构件具有接近所述入射间隙的交替磁极,以及
其中所述第二场组件包括出射间隙与多个横向配置的第二磁构件,所述横向相邻的第二磁构件具有接近所述出射间隙的交替磁极。
10.根据权利要求8所述的装置,其中每一所述第一与第二场抑制组件包括多个构件,每一构件构造成用以缩小由位在所述粒子上的至少一相邻构件所产生的场效应。
11.一种基板处理系统,包括:
粒子产生器,构造成产生多个粒子;
基板;以及
至少一粒子束侦测装置,构造成接收多个粒子中的至少一粒子、构造成侦测所述至少一粒子、以及具有至少一维的转动自由度。
12.根据权利要求11所述的处理系统,其中所述粒子束侦测装置包括:
主体,具有入射孔与相对于所述入射孔的出射孔;以及
至少一侦测器,位于所述入射孔与所述出射孔之间以侦测所述至少一粒子,所述主体具有至少一粒子通道,所述粒子通道连通所述入射孔与所述出射孔。
13.根据权利要求12所述的处理系统,其中所述粒子束侦测装置还包括接近所述入射孔的第一场抑制组件与接近所述出射孔的第二场抑制组件。
14.根据权利要求13所述的处理系统,其中每一所述第一与第二场抑制组件包括多个构件,每一构件构造成用以缩小由位在所述至少一粒子上的至少一相邻构件所产生的场效应。
15.一种方法,用以测量具有多个粒子的粒子束特性,所述方法包括:
产生所述粒子束且沿着粒子束路径导向所述粒子束;
将至少一粒子束侦测系统配置在至少一部分的所述粒子束路径上,以接收至少一部分的所述产生粒子,其中所述粒子束侦测器包括至少一侦测器;
转动所述粒子束侦测系统;以及
侦测至少一部分的所述接收粒子。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述粒子束侦测器还包括:
主体,包括入射孔、由所述主体所定义的腔体以及出射孔,其中所述入射孔、所述腔体以及所述出射孔彼此连通;
第一场抑制器,接近所述入射孔;以及
第二场抑制器,接近所述出射孔。
17.根据权利要求16所述的方法,还包括防止通过所述第一与第二场抑制器的粒子获得净位移。
18.根据权利要求16所述的方法,其中所述转动包括相对于所述粒子束转动所述粒子束侦测系统。
19.根据权利要求16所述的方法,其中所述侦测包括在所述粒子束侦测系统转动时侦测所述至少一部分的所述接收粒子。
20.根据权利要求19所述的方法,还包括决定所述粒子束中的粒子剂量、粒子束平行度以及所述粒子的角度分布中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造