[发明专利]毫秒退火(DSA)的边缘保护有效
| 申请号： | 200980105096.5 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101946302A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 布莱克·凯尔梅尔;罗伯特·C·麦金托什;戴维·D·L·拉马尼亚克;亚历山大·N·勒纳;阿布拉什·J·马约尔;约瑟夫·尤多夫斯凯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 毫秒 退火 dsa 边缘 保护 | ||
1.一种用于在一处理腔室中处理一基板的设备，包括：
一基板支撑件，配置成定位一基板以进行处理；
一能量源，配置成将一电磁能导引朝向该基板支撑件；以及
一个或多个能量阻挡器，在该基板的中央部分暴露于该电磁能的同时，所述一个或多个能量阻挡器配置成阻挡至少一部分的该电磁能到达该基板的周围部分。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述能量阻挡器的至少其中一个为一阴影环。
3.如权利要求2所述的设备，其中该阴影环包括用于与一升举构件接合的一个或多个凸出部。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述凸出部的至少其中一个具有用于与一升举构件接合的一个或多个凹部。
5.如权利要求2所述的设备，其中该阴影环包括用于与该基板支撑件上的销紧配的一个或多个凹部。
6.如权利要求2所述的设备，其中该阴影环的一部分延伸于该基板支撑件上方，并与该基板支撑件分隔开。
7.如权利要求2所述的设备，其中该阴影环包括用于与该基板支撑件上的一个或多个凹部紧配的一个或多个销。
8.如权利要求2所述的设备，其中该基板支撑件为一边缘环。
9.如权利要求3所述的设备，其中该升举构件包括配置成与所述凸出部接合的一个或多个升举销。
10.如权利要求1所述的设备，其中所述能量阻挡器的至少其中一个支撑在该基板支撑件上。
11.一种在一处理腔室中处理一基板的方法，包括：
使用一基板支撑件将该基板定位在该处理腔室中；
将一电磁能导引朝向该基板的至少一部分；以及
当将该基板的中央暴露于该电磁能时，阻挡该电磁能的至少一部分照射在该基板的边缘。
12.如权利要求11所述的方法，其中该阻挡该电磁能的至少一部分的步骤包括将一个或多个能量阻挡器设置在邻近该基板处。
13.如权利要求12所述的方法，其中该将该基板定位在该处理腔室中的步骤包括将该基板支撑件与该一个或多个能量阻挡器接合。
14.如权利要求13所述的方法，其中该将该基板支撑件与该一个或多个能量阻挡器接合的步骤包括升高该基板支撑件以接触该能量阻挡器，并升举该能量阻挡器。
15.如权利要求12所述的方法，其中该将一个或多个能量阻挡器设置在邻近该基板处的步骤包括使用对准点将该能量阻挡器与该基板支撑件对准。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
