[发明专利]乙烯聚合用催化剂组分和用于制备乙烯聚合物的方法(2)无效

专利信息
申请号: 200980105221.2 申请日: 2009-02-17
公开(公告)号: CN101945898A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 川岛康丰 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C08F4/6592 分类号: C08F4/6592;C08F10/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柳春琦
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 乙烯 聚合 催化剂 组分 用于 制备 聚合物 方法
【说明书】:

[技术领域]

本发明涉及一种乙烯聚合用催化剂组分和一种用于制备乙烯聚合物的方法。

[背景技术]

作为通过聚合乙烯制备具有支链结构的聚乙烯的方法,很久前已经知道了高压自由基方法。根据此方法,通过乙烯均聚得到具有包括短链支链和长链支链的复杂支链结构的低密度聚乙烯。但是,由于高压自由基方法采用自由基反应,所以可能难以控制得到的乙烯聚合物的支链结构,并且乙烯聚合物的机械强度不是必然令人满意的。另一方面,通过使用包含过渡金属的烯烃聚合催化剂如齐格勒-纳塔催化剂或金属茂催化剂将乙烯和α-烯烃共聚得到的乙烯-α-烯烃共聚物具有源自α-烯烃的固定长度的短链支链结构,并且因此机械强度优异。但是,在此情况下,必须采用比乙烯更加昂贵的α-烯烃作为原料。

另一方面,最近,已经提出了通过使用包含内消旋-金属茂化合物和甲基铝氧烷(methylalumoxane)的均相过渡金属催化剂聚合乙烯,得到只具有乙基支链的支化聚乙烯,其是短支链并且在成本上有竞争力的(非专利文件1和2)。

[非专利文件1]Lorella Izzo,Lucia Caporaso,Gerardo Senatore,Leone Oliva,″Branched Polyethylene by Ethylene Homopolymerization with meso-Zirconocene Catalyst″,Macromolecules,U.S.A,American Chemical Society,1999,32卷,21期,6913-6916页。

[非专利文件2]Gianluca Melillo,Lorella Izzo,Roberto Centore,Angela Tuzi,Alexander Z.Voskoboynikov,Leone Oliva,″meso-Me2Si(1-indenyl)2ZrC12/methylalumoxane catalyzed polymerization of the ethylene to ethyl-branched polyethylene″,Journal of Molecular Catalysis A:Chemical),Holland,ELSEVIER,2005,230卷,29-33页。

[发明概述]

[本发明要解决的问题]

但是,当如上所述使用包含内消旋-金属茂化合物和甲基铝氧烷的均相过渡金属催化剂均聚乙烯时,得到的聚合物在分子量方面不是必然令人满意的。

在此情形下,本发明要解决的问题在于提供一种可以制备基本上只具有乙基支链的高分子量乙烯聚合物的乙烯聚合用催化剂组分,和一种用于制备基本上只具有乙基支链的高分子量乙烯均聚合物的方法。

[解决问题的手段]

即,本发明的第一方面涉及一种乙烯聚合用催化剂组分,所述乙烯聚合用催化剂组分通过将下列组分(A),(B),(C)和(D)接触得到:

组分(A):内消旋-金属茂化合物,

组分(B):使金属茂化合物离子化形成离子配合物的化合物,

组分(C):有机铝化合物,和

组分(D):给电子化合物。

本发明的第二方面涉及一种通过在上述乙烯聚合用催化剂组分存在下聚合乙烯来制备乙烯聚合物的方法。

[本发明的益处]

通过使用本发明的乙烯聚合用催化剂组分,可以制备基本上只具有乙基支链的高分子量乙烯均聚物。此外,根据本发明的用于制备乙烯聚合物的方法,可以制备基本上只具有乙基支链的高分子量乙烯聚合物。

[本发明的实施方案]

本发明的乙烯聚合用催化剂组分是通过将下列组分(A),(B),(C)和(D)接触而得到的乙烯聚合用催化剂组分。

组分(A):内消旋-金属茂化合物。

组分(B):使金属茂化合物离子化形成离子配合物的化合物。

组分(C):有机铝化合物。

组分(D):给电子化合物。

组分(A)的内消旋-金属茂化合物是过渡金属化合物,其具有内消旋-环戊二烯基型阴离子骨架并且由下式(1)表示。

L2MX2          (1)

M是周期表中第4族过渡金属原子。L是具有环戊二烯型阴离子骨架的基团,并且两个L通过含有碳原子、硅原子和锗原子中的一种或两种或更多种的交联基团而相互连接并且以内消旋的形式配位。X是卤素原子,烃基(不包括具有环戊二烯型阴离子骨架的基团)或烃氧基。

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