[发明专利]柔性半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 200980105243.9 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102089858A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 安松拓人 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 半导体 制造 方法 | ||
1.一种柔性半导体基板的制造方法，上述柔性半导体基板具备柔性基板和形成在上述柔性基板上的半导体元件，上述柔性半导体基板的制造方法的特征在于：
包含：
(a)准备无机基板的工序；
(b)在上述无机基板上利用溶液状的材料形成厚度为10μm不到的聚酰亚胺层的工序；
(c)在上述工序(b)之后，在上述聚酰亚胺层上形成上述半导体元件的工序；以及
(d)在上述工序(c)之后，从上述无机基板剥离上述聚酰亚胺层的工序，
还包含：
(e1)在上述工序(c)之后并且在上述工序(d)之前，在上述半导体元件上形成厚度在上述聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层的工序，或者，
(e2)在上述工序(d)之后，在上述聚酰亚胺层的与上述半导体元件相反的一侧形成厚度在上述聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层的工序。
2.根据权利要求1所述的柔性半导体基板的制造方法，
上述工序(b)包含：(b1)在上述无机基板上添加包含聚酰胺酸的溶液的工序；和(b2)将添加到上述无机基板上的上述聚酰胺酸亚胺化的工序。
3.根据权利要求1或者2所述的柔性半导体基板的制造方法，
上述无机基板是透过规定波长的光的无机基板，
还包括在上述工序(c)之后，从上述无机基板侧对上述聚酰亚胺层照射上述规定波长的光的工序。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的柔性半导体基板的制造方法，
上述工序(c)还包含在形成上述半导体元件的表面形成无机基底层的工序，上述半导体元件形成在上述无机基底层上。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的柔性半导体基板的制造方法，
还包含在上述工序(e1)和上述工序(d)之后，或者在上述工序(e2)之后，进一步地形成聚对二甲苯树脂层的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
