[发明专利]用于测量温度的复合材料、具有该复合材料的温度传感器以及用于制造该复合材料和该温度传感器的方法有效
申请号: | 200980105641.0 | 申请日: | 2009-02-09 |
公开(公告)号: | CN101952701A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | G·克洛伊贝尔;H·斯特拉尔霍弗 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/22 | 分类号: | G01K7/22;H01C7/02;H01C7/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;李家麟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 温度 复合材料 具有 温度传感器 以及 制造 方法 | ||
1.一种用于测量温度的复合材料(1),具有
-陶瓷的填充料,和
-嵌入到所述填充料中的能塑形的基质,
其中所述陶瓷的填充料具有电阻的正温度系数或负温度系数,并且所述复合材料(1)具有由所述陶瓷的填充料确定的电阻-温度特性曲线。
2.根据权利要求1所述的复合材料(1),其中所述基质具有选自包括玻璃状材料、热塑性塑料、热固性塑料、弹性塑料或者它们的混合物的组的材料。
3.根据前述权利要求之一所述的复合材料(1),其中所述填充料在基质中作为许多颗粒存在。
4.根据权利要求3所述的复合材料(1),其中所述颗粒在基质中具有50%至95%的填充度。
5.根据权利要求3或4所述的复合材料(1),其中所述颗粒在基质中形成连续的电流路径。
6.根据前述权利要求之一所述的复合材料(1),其中所述填充料具有选自如下组的材料:所述组包括具有公式AIIBIII2O4的导电尖晶石和具有公式ABO3的钙钛矿以及PTC材料,其中A和B分别为金属。
7.一种用于制造根据权利要求1至6所述的复合材料(1)的方法,具有如下方法步骤
A)制造所述陶瓷的填充料,
B)提供所述基质,以及
C)将所述填充料和所述基质混合。
8.一种温度传感器(10),所述温度传感器(10)由根据权利要求1至6所述的复合材料(1)形成并且具有接触件(2)。
9.根据权利要求8所述的温度传感器(10),其中所述接触件(2)施加在所述温度传感器(10)的表面上和/或整合到所述温度传感器(10)中。
10.根据权利要求8或9所述的温度传感器(10),所述温度传感器(10)具有三维几何形状。
11.根据权利要求10所述的温度传感器(10),所述温度传感器(10)被形成为薄膜。
12.根据权利要求11所述的温度传感器(10),其中所述薄膜是柔性的。
13.根据权利要求10所述的温度传感器(10),其中所述几何形状是长方体形的。
14.根据权利要求10至13之一所述的温度传感器(10),其中所述几何形状具有圆角。
15.一种用于制造根据权利要求8至14所述的温度传感器(10)的方法,具有如下方法步骤
D)制造根据权利要求7至11所述的复合材料(1),
E)对所述复合材料(1)进行塑形,以及
F)施加接触件(2)。
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