[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，

包括背面电极层(5)、形成于所述背面电极层(5)表面上的半导体层(3)及形成于所述半导体层(3)表面上的表面电极层(7)，

在所述背面电极层(5)的与形成有所述半导体层(3)的一侧相反的一侧的表面上具有支承层(8)，

所述半导体层(3)包含至少一个pn结，

所述太阳能电池具有多个将支承层开口部(6c)和半导体层开口部(6b)连接的作为空洞的通孔(16)，该支承层开口部(6c)形成于所述支承层(8)的与形成有所述背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面，该半导体层开口部(6b)形成于所述半导体层(3)的与形成有所述背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面，

所述表面电极层(7)形成在未形成有所述半导体层开口部(6b)的区域上。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述通孔(16)的内壁面由所述支承层(8)覆盖。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述半导体层开口部(6b)的最大孔径为15μm以下。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

相邻的所述半导体层开口部(6b)之间的最短距离为200μm以下。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述半导体层(3)的厚度为20μm以下。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述半导体层(3)含有GaAs类化合物半导体层和GaP类化合物半导体层中的至少一个。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述半导体层开口部(6b)的开口面积的总和为所述半导体层(3)的形成有所述半导体层开口部(6b)的表面中的受光面积的1％以下。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述支承层(8)由有机化合物构成。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，

所述有机化合物是聚酰亚胺。

10.一种太阳能电池的制造方法，制造权利要求1所述的太阳能电池，该制造方法的特征在于，包含：

在半导体基板(1)上形成蚀刻层(2)的工序；

在所述蚀刻层(2)上形成所述半导体层(3)的工序；

在所述半导体层(3)上形成所述背面电极层(5)的工序，该背面电极层(5)具有沿厚度方向贯通的第一蚀刻用孔(6)；

在所述背面电极层(5)上形成所述支承层(8)的工序，该支承层(8)具有沿厚度方向贯通并与所述第一蚀刻用孔(6)连接的第二蚀刻用孔(26)；

通过从所述第一蚀刻用孔(6)和所述第二蚀刻用孔(26)蚀刻所述半导体层(3)使所述蚀刻层(2)的表面露出，以形成所述通孔(16)的工序；

至少从所述通孔(16)蚀刻所述蚀刻层(2)以使所述半导体层(3)和所述半导体基板(1)分离的工序；

在所述半导体层(3)表面的未形成有所述半导体层开口部(6b)的区域形成所述表面电极层(7)的工序。

11.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板(1)包含从Si、Ge、GaAs类化合物半导体和GaP类化合物半导体中选择的至少一种。

12.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述蚀刻层(2)包含AlAs类化合物半导体层和GaInP类化合物半导体层中的至少一个。

13.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

使用从利用光刻技术的剥离法、蚀刻和激光照射中选择的至少一种方法来形成所述第一蚀刻用孔(6)。

14.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

使用从利用光刻技术的方法、蚀刻和激光照射中选择的至少一种方法来形成所述第二蚀刻用孔(26)。