[发明专利]用于处理基板的设备和方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，该基板处理设备包括：

腔，其限定了对基板实施处理的处理空间；

第一供应件，其位于该处理空间上方，用于向该处理空间供应第一源气体；

等离子体源，其被设置为在该处理空间内产生电场以从第一源气体生成活性基；以及

第二供应件，其被设置为在该基板上方供应第二源气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中

所述腔包括下部腔，该下部腔中安装有被设置为允许在其上放置基板的支撑件，该下部腔的顶部敞开，并且

第二供应件安装在所述下部腔的上端，以在大体上与放置在所述支撑件上的所述基板平行的方向上供应第二源气体。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，第二源气体包括含硅气体。

4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中

所述腔包括：

顶部敞开的下部腔；和

被设置为敞开和封闭所述下部腔的顶部的上部腔，

第一供应件包括喷射板，该喷射板安装在所述上部腔的与所述处理空间相对的天花板上，用于朝向所述处理空间向下供应第一源气体，并且

在所述喷射板与所述上部腔的所述天花板之间限定有一缓冲空间。

5.根据权利要求1或4所述的基板处理设备，其中，第一源气体包含氧化氮N₂O或氨气NH₃。

6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中

所述腔包括：

顶部敞开的下部腔；和

被设置为敞开和封闭所述下部腔的顶部的上部腔，并且

所述等离子体源被布置为包裹所述上部腔。

7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中

所述等离子体源包括被设置为包裹所述上部腔的侧面的第一段和第二段，并且

该第一段和第二段从所述上部腔的一端到另一端交替地布置。

8.根据权利要求7所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

第一电源，其与第一段相连，以向第一段供应第一电流；以及

第二电源，其与第二段相连，以向第二段供应第二电流。

9.根据权利要求1所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括被设置为使所述活性基朝向第二源气体扩散的扩散板。

10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述扩散板将所述处理空间分隔为向其内供应第一源气体以生成所述活性基的第一处理空间和向其内供应第二源气体的第二处理空间。

11.根据权利要求9或10所述的基板处理设备，其中

所述腔包括：

下部腔，该下部腔中安装有支撑件，该支撑件被设置为允许在其上放置基板，该下部腔的顶部是敞开的；以及

上部腔，其被设置为敞开和封闭所述下部腔的顶部，第一供应件包括安装在所述扩散板的一侧以向所述处理空间供应第一源气体的喷射板，而第二供应件安装在所述扩散板的另一侧以在大体上与放置在所述支撑件上的基板平行的方向上供应第二源气体。

12.根据权利要求1所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

连接到第一供应件以供应第一源气体的第一供应管线；以及

连接到第一供应管线以供应清洁等离子体的清洁单元。

13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述清洁单元包括：

发生腔，其被设置为从外部接收清洁气体并从该清洁气体产生清洁等离子体；以及

第三供应管线，其连接在所述发生腔与第一供应管线之间，以向第一供应管线供应所述清洁等离子体。

14.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中，所述清洁气体包括三氟化氮NF₃或氩气Ar。

15.根据权利要求1所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

扩散板，其布置在第二供应件下方，用于使所述活性基和第二源气体朝向所述基板扩散。