[发明专利]衬底处理装置和方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，该衬底处理装置包括：

腔室，其限定对衬底执行处理的处理空间；

第一供应部件，其被配置为向所述处理空间提供第一源气体；

等离子体源，其被配置为在所述处理空间中生成电场，以从所述第一源气体生成活性基；以及

第二供应部件，其位于所述第一供应部件下方，用于向所述衬底提供第二源气体。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，该衬底处理装置还包括安装在所述腔室内的支承部件，其中，

所述第二供应部件设有供应喷嘴，所述供应喷嘴的下端对应于置于所述支承部件上的所述衬底的中心，以向所述衬底的中心供应所述第二源气体。

3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述腔室包括：

顶部开口的下部腔室；和

被配置为开口且封闭所述下部腔室的顶部的上部腔室，所述第一供应部件包括在所述上部腔室的与所述处理空间相对的顶板处安装的喷射板，以朝下向所述处理空间供应所述第一源气体，并且

在所述喷射板和所述上部腔室的所述顶板之间限定有缓冲空间。

4.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述腔室包括：

顶部开口的下部腔室；和

被配置为开口且封闭所述下部腔室的顶部的上部腔室，

所述等离子体源包括被配置为包围所述上部腔室的侧面的第一段和第二段，并且，

从所述上部腔室的一端向另一端交替布置所述第一段和所述第二段。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，该衬底处理装置还包括：

第一功率源，其连接到所述第一段，用于向所述第一段供应第一电流；和

第二功率源，其连接到所述第二段，用于向所述第二段供应第二电流。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，该衬底处理装置还包括置于所述第二供应部件下方的扩散板。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，该衬底处理装置还包括安装在所述腔室中的支承部件，其中，

所述第二供应部件包括被设置为总体上与置于所述支承板上的所述衬底平行的喷射板，并且

所述处理空间被分隔为第一处理空间和第二处理空间，该第一处理空间被限定在所述喷射板上方以使得能向该第一处理空间内供应所述第一源气体，该第二处理空间被限定在所述喷射板下方以使得能向该第二处理空间内供应所述第二源气体。

8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，该衬底处理装置还包括：

第二供应管线，其连接到所述喷射板，用于向所述喷射板供应所述第二源气体，其中，

所述喷射板具有第一喷射孔和第二喷射孔，所述第一喷射孔以连通方式连接在所述第一处理空间和所述第二处理空间之间，以将提供给所述第一处理空间的所述第一源气体喷射到所述第二处理空间中，所述第二喷射孔连接到所述第二供应管线，以将所述第二源气体喷射到所述第二处理空间中。

9.根据权利要求7或8所述的衬底处理装置，其中，

所述等离子体源包括上部等离子体源和下部等离子体源，该上部等离子体源被配置为包围所述第一处理空间，该下部等离子体源被配置为包围所述第二处理空间，并且，

所述衬底处理装置还包括：

第一功率源，其连接到所述上部等离子体源，用于向所述上部等离子体源供应第一电流；和

第二功率源，其连接到所述下部等离子体源，用于向所述下部等离子体源供应第二电流。

10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，该衬底处理装置还包括安装在所述腔室中的支承部件，其中，

所述第一供应部件包括在所述腔室的与所述处理空间相对的顶板处安装的扩散板，该扩散板被设置为总体上与置于所述支承部件上的所述衬底平行，并且，在所述扩散板和所述腔室的所述顶板之间限定有缓冲空间，以使得能向该缓冲空间中供应所述第一源气体。