[发明专利]具有减少扩散热阻的半导体堆叠组合件及其制造方法有效
申请号: | 200980106030.8 | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN101978493A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 阿利弗·瑞曼 | 申请(专利权)人: | 吉林克斯公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/433;H01L25/16 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 减少 扩散 半导体 堆叠 组合 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其包含:
第一集成电路小片,其具有第一表面;
至少一个额外集成电路小片,其各自具有顶面和底面,所述至少一个额外集成电路小片中的每一者的所述底面安装到所述第一集成电路小片的所述第一表面上;
至少一个虚拟填充物,其各自具有顶面和底面,所述至少一个虚拟填充物中的每一者的所述底面安装到所述第一集成电路小片的所述第一表面上,与所述至少一个额外集成电路小片相邻;以及
安装表面,其经配置以供与排热元件进行热接触,所述安装表面包括所述至少一个额外集成电路小片和所述至少一个虚拟填充物中的每一者的所述顶面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一表面具有第一表面积,且其中所述至少一个额外集成电路小片中的每一者安装在所述第一表面积的第一部分中,且所述至少一个虚拟填充物安装在所述第一表面积的第二部分中。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中所述至少一个虚拟填充物包括至少一个虚拟硅填充物。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述至少一个虚拟硅填充物包括各自上面制造有至少一个被动组件的至少一个专用虚拟硅填充物。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述至少一个专用虚拟硅填充物中的每一者的所述至少一个被动组件包括电阻器、电容器或电感器中的至少一者。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置,其进一步包含:
模塑料,其囊封所述第一集成电路小片、所述至少一个额外集成电路小片,和所述至少一个虚拟填充物以形成复合封装。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的半导体装置,其中所述第一集成电路小片包括与正面相对的背面,且其中所述第一表面包含所述背面。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置,其中所述排热元件具有基座,所述基座安装到所述半导体装置上,以使得所述至少一个额外集成电路小片中的每一者介于所述第一集成电路小片与所述排热元件之间。
9.一种制造半导体装置的方法,其包含:
制造具有第一表面的第一集成电路小片;
制造各自具有顶面和底面的至少一个额外集成电路小片;
将所述至少一个额外集成电路小片中的每一者的所述底面安装到所述第一集成电路小片的所述第一表面上;
制造各自具有顶面和底面的至少一个虚拟填充物;
将所述至少一个虚拟填充物中的每一者的所述底面安装到所述第一集成电路小片的所述第一表面上,与所述至少一个额外集成电路小片相邻;以及
将排热元件安装到所述至少一个额外集成电路小片和所述至少一个虚拟填充物中的每一者的所述顶面上。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一表面具有第一表面积,且其中所述至少一个额外集成电路小片中的每一者安装在所述第一表面积的第一部分中,且所述至少一个虚拟填充物安装在所述第一表面积的第二部分中。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述至少一个虚拟填充物包括至少一个虚拟硅填充物。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述制造所述至少一个虚拟填充物包含:
在所述至少一个虚拟硅填充物的至少一个专用虚拟硅填充物中的每一者上形成至少一个被动组件。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述至少一个专用虚拟硅填充物中的每一者的所述至少一个被动组件包括电阻器、电容器或电感器中的至少一者。
14.根据权利要求9到13中任一权利要求所述的方法,其进一步包含:
用模塑料来囊封所述第一集成电路小片、所述至少一个额外集成电路小片,和所述至少一个虚拟填充物以形成复合封装;以及
将所述复合封装附接到封装衬底。
15.根据权利要求9到14中任一权利要求所述的方法,其中所述第一集成电路小片包括与正面相对的背面,且其中所述第一表面包含所述背面。
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