[发明专利]有机EL器件有效
申请号: | 200980106115.6 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102090142A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 安达和哉 | 申请(专利权)人: | 富士电机控股株式会社 |
主分类号: | H05B33/04 | 分类号: | H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘春成 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 器件 | ||
1.一种有机EL器件,其特征在于,包括:
基板;形成在所述基板上的有机EL元件;和形成在所述有机EL元件之上的密封膜,
其中,所述密封膜是含有H的氮化硅膜,
所述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85~0.95at%。
2.如权利要求1所述的有机EL器件,其特征在于:
所述氮化硅膜的膜厚为1000~5000nm。
3.如权利要求1所述的有机EL器件,其特征在于:
所述氮化硅膜的内部应力的绝对值为50MPa以下。
4.一种有机EL器件的制造方法,其特征在于,该制造方法至少包括:
在基板上形成有机EL元件的步骤;和在所述有机EL元件上形成密封膜的步骤,
其中,形成所述密封膜的步骤中,至少包括为了形成含有氢原子或氢分子的氮化硅膜,将SiH4、NH3、N2、H2以所述H2的添加流量相对于所述N2的流量为1~5体积%的方式进行混合的阶段。
5.如权利要求4所述的有机EL器件的制造方法,其特征在于:
在形成所述密封膜的步骤中,所述氮化硅膜的成膜速度为2.8nm/sec以下。
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