[发明专利]用于表征半导体构件的测量方法和装置

权利要求书

1.一种用于表征半导体构件(1)的测量方法，所述半导体构件具有至少一个PN结和测量面，所述测量面是所述半导体构件的前侧和/或后侧，所述测量面具有至少一个接通分区，所述接通分区被接通结构覆盖或者设置用于被接通结构覆盖，所述测量方法包括下述步骤：

A对所述半导体构件(1)的所述测量面以面状方式施加电磁激励射束，以便使半导体构件(1)中的电荷载体对分开，以及

B借助至少一个探测单元以空间分辨的方式测量由半导体构件(1)发出的电磁射束，

其特征在于：在至少一个步骤A中，对所述测量面的至少一个预先给定的受激分区施加针对所述受激分区预先给定的强度的激励射束，而对所述测量面的至少一个接收分区施加与所述受激分区相比强度更小的激励射束，

其中，所述受激分区和所述接收分区设置在所述接通分区的对置侧上，并与所述接通分区相邻接和/或与所述接通分区完全或部分重叠。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述测量面被一个或多个接通分区划分成区段；

在至少一个步骤A中，至少一个受激分区覆盖至少一个区段、优选恰好覆盖一个区段，而与所述受激分区相邻的区段则被接收分区覆盖。

3.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：在至少一个步骤A中，至少一个受激分区具有与所述接通分区公共的边界；优选地，在所有步骤A中，所有受激分区都具有与相应预先给定的接通分区公共的边界。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于：所述受激分区沿着所述接通分区的一侧延伸；尤其是，在所有步骤A中，所有受激分区都沿着相应预先给定的接通分区的一侧延伸。

5.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于：在至少一个步骤A中，至少一个受激分区通过接通分区的边缘以及另外通过另外的预先给定的接通分区和/或另外通过所述半导体构件的一个或多个边缘界定。

6.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于：所述接通分区是汇流条接通分区，所述汇流条接通分区被汇流条覆盖或者设置成被汇流条覆盖。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于：所述半导体构件具有多个、即b个汇流条接通分区；在每个步骤A中，所述测量面的面积的至少1/(2b)、优选至少1/b被所述受激分区覆盖。

8.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：在每个步骤A中，所述测量面的面积的至少1/6、优选至少1/4被所述受激分区覆盖；尤其是，在每个步骤A中，所述测量面的面积的大致一半被所述受激分区覆盖。

9.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：所述步骤A被执行至少两次，其中各自进行根据所述步骤B的测量，所述步骤A具有不同的受激分区。

10.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：所有步骤A的所有受激分区总计至少覆盖在接通区域外的测量面；尤其是，所有步骤A的所有受激分区总计覆盖整个测量面。

11.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：为至少一个预先给定的接收分区规定激励射束的强度0，使得至少一个接收分区在步骤A中不被施加激励射束；尤其是，为所有接收分区都规定强度0。

12.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：在每个步骤A中，受激分区和接收分区总计至少覆盖在接通区域外的测量面，尤其是覆盖整个测量面。

13.根据上述权利要求之一的方法，其特征在于：所有步骤A的受激分区都不相交，尤其是两两不相交。

14.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：在至少一个步骤A中，所有受激分区是凸面；尤其是，在所有步骤A中所有受激分区都是凸面的。

15.根据上述权利要求至少一项的方法，其特征在于：在一另外的步骤A′中，对所述半导体构件(1)的前侧和/或后侧、优选所述测量面以整个面的、射束强度均匀的方式施加激励射束，并且进行根据步骤B的测量。