[发明专利]半导体结构以及形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其包含：

将含二氧化硅材料形成于半导体衬底上；

将第一材料形成于所述含二氧化硅材料上；

将第二材料形成于所述第一材料上，所述含二氧化硅材料和所述第一材料相对于所述第二材料为可选择性蚀刻的，所述第二材料包含多晶硅和非晶硅中的一者或两者；

将第三材料形成于所述第二材料上；

将经图案化掩模形成于所述第三材料上；以及

通过一个或一个以上合适的蚀刻将图案从所述掩模转移穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和含二氧化硅材料以形成延伸穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和含二氧化硅材料的开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第三材料由氮化硅组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料由氮化硅组成，且其中所述第三材料包含除了氮化硅以外的组合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三材料包含导电组合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含：

将电容器存储节点材料形成于所述开口内；

将电容器电介质材料形成于所述电容器存储节点材料上；以及

将所述导电第三材料用作包含所述电容器存储节点材料和所述电介质材料的电容器的电容器板材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将第四材料形成于所述第三材料上，以及将第五材料形成于所述第四材料上；且其中：

所述第四材料在组成方面与所述第二材料相同；且

所述转移所述图案包含将所述图案转移穿过所述第一材料、第二材料、第三材料、第四材料、第五材料和含二氧化硅材料以形成所述开口以延伸穿过所述第一材料、第二材料、第三材料、第四材料、第五材料和含二氧化硅材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一、第三和第五材料由氮化硅组成。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

将电容器存储节点材料形成于所述开口内；

将电容器电介质材料形成于所述电容器存储节点材料上；以及

将电容器板材料形成于所述电容器电介质材料上。

9.一种形成半导体结构的方法，其包含：

将氧化物形成于半导体衬底上，所述氧化物具有至少约的厚度；

将电绝缘氮化物形成于所述氧化物上；

将含硅材料形成于所述氮化物上，所述含硅材料包含多晶硅和非晶硅中的一者或两者，所述含硅材料具有至少约的厚度；

将覆盖材料形成于所述含硅材料上；

将经图案化掩模形成于所述覆盖材料上；以及

通过一个或一个以上合适的蚀刻将图案从所述掩模转移穿过所述覆盖材料、含硅材料、氮化物和氧化物以形成延伸穿过所述覆盖材料、含硅材料、氮化物和氧化物的开口。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述覆盖材料为导电的。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述覆盖材料为电绝缘的。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述含硅材料直接抵靠所述氮化物；其中所述覆盖材料直接抵靠所述含硅材料，且其中所述覆盖材料包含电绝缘氮化物。

13.一种形成半导体结构的方法，其包含：

将含二氧化硅材料形成于半导体基底材料上；

将第一含氮化硅材料形成于所述含二氧化硅材料上；

将未氧化硅材料形成于所述第一含氮化硅材料上且直接抵靠所述第一含氮化硅材料；

将第二含氮化硅材料形成于所述未氧化硅材料上且直接抵靠所述未氧化硅材料；以及

将经图案化掩模提供于所述第二含氮化硅材料上，且将所述图案从所述掩模转移到下伏材料中以形成延伸穿过所述材料的开口，所述图案的所述转移包含：

通过第一蚀刻而蚀刻穿过所述第二含氮化硅材料；

通过第二蚀刻而蚀刻穿过所述未氧化硅材料；

通过第三蚀刻而蚀刻穿过所述第一含氮化硅材料；以及

通过第四蚀刻而蚀刻穿过所述含二氧化硅材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一和第三蚀刻利用彼此相同的条件。