[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

半导体发光器件，所述半导体发光器件用于发射具有在可见区中的峰值波长的初级光；以及

波长转换器，所述波长转换器用于(a)将一部分初级光转换成具有比所述峰值波长更长的在可见区中的峰值波长的次级光并且(b)与未被转换的剩余初级光组合地发射次级光，其中所述波长转换器包括：

跨越从半导体发光器件发射的光的路径延伸的主体；以及

由位于光出射方向上的主体的一部分上的多个柱状突起构成的发光部分。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中每个突起的顶圆直径为1μm到100μm且包括1μm和100μm，并且每个突起的长度为顶圆直径的3倍到20倍且包括3倍和20倍。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中每个突起的顶圆直径为3μm到30μm且包括3μm和30μm。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中每个突起的顶圆直径为5μm到10μm且包括5μm和10μm。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中每个突起的长度为该突起的顶圆直径的5倍到10倍且5倍和10倍也包括在内。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中每两个相邻突起之间的间隔为1μm到10μm且1μm和10μm也包括在内。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中每两个相邻突起之间的间隔为3μm到8μm且3μm和8μm也包括在内。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述波长转换器由陶瓷材料、复合玻璃材料、结晶玻璃材料、和氧化物单晶材料中的任何一种制成。

9.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中半导体发光器件的发光表面与波长转换器的光入射表面绝对接触。