[发明专利]用于大直径晶片运输的方法和设备有效

专利信息
申请号: 200980106577.8 申请日: 2009-01-13
公开(公告)号: CN101981684A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 巴里·格雷格尔森;迈克尔·肖恩·亚当斯;詹森·托德·斯蒂芬斯 申请(专利权)人: 诚实公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L21/677
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田军锋;魏金霞
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 直径 晶片 运输 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种用于叠置的、间隔开的、轴向对齐的、水平的大直径晶片的前部开口半导体晶片容器,包括:

容器部,所述容器部限定用于容纳晶片的开放内部以及由门框限定的开放前部,所述容器部包括在所述开放内部内的用于接收和保持多个晶片的多个晶片缝;

能够选择性地附连到所述门框用以闭合所述开放前部的门,所述门具有能够选择性地与所述门框接合的闭锁机构、内表面、外表面以及设置在所述内表面上的晶片定位器;

其中,所述晶片定位器包括竖直对齐、水平延伸的相互连接的多个晶片支撑件,当所述门附连到所述门框时所述多个晶片支撑件用于接合晶片的前部周边边缘,所述多个晶片支撑件分别具有长度并且分别包括:

基部,所述基部不可移动地附连到所述容器;

能够偏转的初始晶片接合部;以及

连接所述基部和所述晶片接合部的中间部,所述中间部和所述晶片接合部从所述基部向外伸出;

其中,相邻的晶片支撑件沿相应的基部彼此相互连接而沿相应的中间部或晶片接合部未连接;

其中,当以轮廓观察时,上腿部从所述门朝外及朝上延伸,而下腿部从所述门朝外及朝下延伸,从而限定了具有顶点的大致的V形部,所述V形部包括具有顶点的V形晶片接合表面、延伸所述晶片支撑件的长度的所述上腿部和下腿部;并且所述中间部具有穿过其的长形孔,从而提供在所述基部和所述能够偏转的晶片接合部中间的水平延伸的一对指状物。

2.如权利要求1所述的容器,其中,每个所述中间部和能够偏转的初始晶片接合部均具有顶缘和底缘并且每个所述能够偏转的初始晶片接合部具有远端,并且当所述顶缘和底缘接近所述远端时所述顶缘和底缘向下弯曲。

3.如权利要求1所述的容器,其中,所述晶片接合部的轮廓具有L形,并且当所述门是竖立的并位于所述开放前部的适当位置时,所述L形的定向是倒转且倾斜的。

4.如权利要求1所述的容器,其中,所述晶片支撑件是成角度的,使得基部的外表面与晶片接合部的外表面相比更加远离所述门的内表面。

5.一种用于接收以具有竖直轴线的叠置排列定位的多个大直径晶片的前部开口半导体晶片容器,所述容器包括:

容器部,所述容器部具有左闭合侧、右闭合侧、闭合后部、开放前部以及开放内部,所述开放内部包括用于接收和容纳晶片的多个缝;

能够附连到所述容器部的门,用以闭合所述开放前部并能够选择性地闭锁至所述容器部;

所述容器部包括一对竖列的在所述开放内部中竖直对齐的相互连接的晶片支撑件,所述一对中的其中一个邻近左侧而一个邻近右侧,所述一对竖列限定多个缝,其中每个晶片支撑件包括:

上腿部,所述上腿部从邻近壁朝上及朝外成角度地延伸,所述上腿部具有背向所述邻近壁的晶片接合表面;以及

下腿部,所述下腿部从所述邻近壁朝下及朝外成角度地延伸,所述下腿部具有背向所述邻近壁的晶片接合表面,其中所述下腿部晶片接合表面长于所述上腿部晶片接合表面,并且其中所述下腿部突出于所述上腿部表面,从而限定具有面向下的凸缘表面的水平延伸的倒转凸缘部。

6.如权利要求5所述的容器,其中,所述面向下的凸缘表面与具有直接位于下方的晶片支撑件上腿部的每个晶片支撑件的下腿部成一体。

7.如权利要求5所述的容器,其中,所述面向下的凸缘表面基本上水平。

8.一种前部开口半导体晶片容器,其用于接收以具有竖直轴线的叠置排列定位的多个大直径圆形晶片,所述容器包括:

容器部,所述容器部具有左闭合侧、右闭合侧、闭合后部、开放前部以及开放内部,所述开放内部包括用于接收和容纳居中地定位于所述开放内部内的晶片的多个缝;

能够附连到所述容器部的门,用以闭合所述开放前部并能够选择性地闭锁至所述容器部;

所述容器部包括一对竖列的在所述开放内部中竖直对齐的相互连接的晶片支撑件,所述一对中的其中一个邻近左侧而一个邻近右侧,所述一对中的每个包括具有弧形形状的径向内缘用以跟随晶片的圆形形状以便对晶片提供周边支撑,所述一对竖列中的每个环绕延伸至具有最向内及向前的竖直叠置的支撑末端的开放前侧,由此相对于叠置的晶片排列的轴线在相应的竖直叠置的支撑末端之间测量的开口是在85度至110度之间。

9.如权利要求8所述的容器,其中,相对于叠置晶片的轴线在所述一对相应的竖直叠置的支撑末端之间测量的开口是在88度至105度之间。

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