[发明专利]微电子基底清洁组合物有效
| 申请号： | 200980106838.6 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101959977A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 威廉·R·格米尔 | 申请（专利权）人： | 马林克罗特贝克公司 |
| 主分类号： | C09D9/00 | 分类号： | C09D9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曹立莉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 基底 清洁 组合 | ||
1.微电子基底清洁组合物，其包含：
a)该组合物约80％至约99％重量的至少一种有机砜；
b)该组合物约0.25％至约19％重量的水；和
c)该组合物约0.25％至约10％重量的至少一种提供四氟硼酸根离子的组分
其中该组合物作为10％重量水溶液的pH为3或更小。
2.根据权利要求1的微电子基底清洁组合物，还包含约1％至约10％重量的至少一种多元醇。
3.根据权利要求1的微电子基底清洁组合物，其中所述砜包括环丁砜。
4.根据权利要求1的微电子基底清洁组合物，其中所述至少一种提供四氟硼酸根离子的组分包括四氟硼酸。
5.根据权利要求3的微电子基底清洁组合物，其中所述至少一种提供四氟硼酸根离子的组分包括四氟硼酸。
6.根据权利要求2的微电子基底清洁组合物，其中至少一种多元醇包括甘油。
7.根据权利要求6的微电子基底清洁组合物，其中所述至少一种砜包括环丁砜，且所述至少一种提供四氟硼酸根离子的组分包括四氟硼酸。
8.清洁微电子基底或设备的蚀刻/灰化后残余物的方法，其包括将微电子基底或设备与清洁组合物接触，该清洁组合物包含：
a)该组合物约80％至约99％重量的至少一种有机砜；
b)该组合物约0.25％至约19％重量的水；和
c)该组合物约0.25％至约10％重量的至少一种提供四氟硼酸根离子的组分
其中该组合物作为10％重量水溶液的pH为3或更小。
9.根据权利要求8的方法，其中该清洁组合物还包含约1％至约10％重量的至少一种多元醇。
10.根据权利要求8的方法，其中所述砜包括环丁砜。
11.根据权利要求8的方法，其中所述至少一种提供四氟硼酸根离子的组分包括四氟硼酸。
12.根据权利要求10的方法，其中所述至少一种提供四氟硼酸根离子的组分包括四氟硼酸。
13.根据权利要求9的方法，其中至少一种多元醇包括甘油。
14.根据权利要求13的方法，其中所述至少一种砜包括环丁砜，且所述至少一种提供四氟硼酸根离子的组分包括四氟硼酸。
15.根据权利要求8的方法，其中所述微电子基底或设备包括Si基抗反射涂层和低k电介质。
16.根据权利要求14的方法，其中所述微电子基底或设备包括Si基抗反射涂层和低k电介质。
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