[发明专利]金属衬底上的碳纳米管图案化

权利要求书

1.一种制造电子源的方法，所述方法包括：

获取金属衬底；

向所述金属衬底的第一多个区域施加抑制剂，其中所述抑制剂可操作用以抑制碳纳米管在所述金属衬底的所述第一多个区域中的生长；并且

在所述金属衬底上与所述第一多个区域分离的第二多个区域中生长碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属衬底包括从包含可操作用以生长碳纳米管的金属和可操作用以生长碳纳米管的金属合金的组中选择的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制剂包括从包含可操作用以抑制碳纳米管生长的非金属、聚合物和金属的组中选择的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述施加抑制剂还包括：

向所述金属衬底施加光阻剂；

使用光刻工艺使所述光阻剂的部分暴露于紫外光，其中所述光阻剂的所述部分设置于所述第二多个区域上；

去除所述光阻剂的设置于所述金属衬底的所述第一多个区域上的未曝光部分；

向所述金属衬底和所述光阻剂的所述部分施加所述抑制剂；并且

去除所述光阻剂的所述部分并且保留设置于所述金属衬底的所述第一多个区域上的所述抑制剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制剂包括聚合物，并且其中所述施加抑制剂还包括：

向所述金属衬底施加聚合物；

使用图案化压印器来图案化所述聚合物，其中所述图案化压印器包括与所述第一多个区域对应的特征；并且

在所述图案化压印器就位之时固化所述聚合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述施加所述抑制剂还包括使用泡喷印刷工艺来施加所述抑制剂。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述抑制剂和所述碳纳米管上设置吸收剂层；并且

在所述吸收剂层上设置受主层，所述受主层用于响应于其曝光生成相对于所述金属衬底的电压电势。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使用选自溅射和化学汽相沉积的工艺来进行所述吸收剂层和所述受主层的所述设置。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

抛光所述金属衬底以生成少于约5纳米的RMS表面粗糙度。

10.一种电子源，包括：

金属衬底；

抑制剂，设置于所述金属衬底的第一多个区域上；以及

碳纳米管，设置于所述金属衬底上与所述第一多个区域分离的第二多个区域中。

11.根据权利要求10所述的电子源，其中所述金属衬底包括从包含可操作用以生长碳纳米管的金属和可操作用以生长碳纳米管的金属合金的组中选择的材料。

12.根据权利要求10所述的电子源，其中所述抑制剂包括从包含可操作用以抑制碳纳米管生长的非金属、聚合物和金属的组中选择的材料。

13.根据权利要求10所述的电子源，其中所述抑制剂包括聚合物。

14.根据权利要求10所述的电子源，其中所述金属衬底包括RMS表面粗糙度少于约5nm的铬化镍。

15.根据权利要求10所述的电子源，其中所述碳纳米管包括多个碳纳米管群集，并且其中所述多个碳纳米管群集中的各群集在物理上相互分离。

16.根据权利要求10所述的电子源，其中所述碳纳米管可操作用以发射电子以生成光。

17.一种太阳能电池，包括：

金属衬底；

抑制剂，设置于所述金属衬底的第一多个区域上；

碳纳米管，设置于所述金属衬底上与所述第一多个区域分离的第二多个区域中；

吸收剂层，设置于所述抑制剂和所述碳纳米管上；以及

受主层，设置于所述吸收剂层上，所述受主层用于响应于其曝光生成相对于所述金属衬底的电压电势。

18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中所述金属衬底和所述碳纳米管形成用于发射电子的电子施主。

19.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中所述金属衬底和所述碳纳米管形成用于接收电子的电子受主。