[发明专利]用于电解沉积铜的水性酸浴及方法

权利要求书

1.一种用于电解沉积铜的水性酸浴，所述浴含有至少一种铜离子源、至少一种酸离子源、至少一种亮光剂化合物及至少一种调平剂化合物，其中至少一种调平剂化合物选自合成制造的非功能化肽、合成制造的功能化氨基酸及合成制造的功能化肽。

2.如权利要求1的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中所述至少一种调平剂不包括二甘氨酸、三甘氨酸、聚甘氨酸及肌肽(β-丙氨酰-L-组氨酸)。

3.如权利要求1或2的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中所述肽和/或氨基酸利用至少一种选自聚亚烷基二醇基、聚亚烷基亚氨基及聚乙烯醇基中的部分来功能化。

4.如权利要求3的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中所述聚亚烷基二醇基及聚亚烷基亚氨基中至少一种具有化学通式-(X-CHR-CH₂)_n-R’，其中X为O或NH，R为H或甲基，在(X-CHR-CH₂)部分中的每个X及每个R可独立于另一(X-CHR-CH₂)部分中的每个X及每个R而选择，其中n为约2至约1000的整数，且R’为H、烷基或芳基。

5.如权利要求4的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中-(X-CHR-CH₂)_n-R’选自均聚乙二醇基团、均聚丙二醇基团、均聚亚乙基亚氨基团及包含至少二单元的共聚物基团，所述至少二单元选自乙二醇单元、丙二醇单元及亚乙基亚胺单元。

6.如权利要求5的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中所述共聚物基团由包含乙二醇单元及丙二醇单元的嵌段共聚物形成。

7.如权利要求4至6之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中-(X-CHR-CH₂)_n-R’具有约300至约35,000道尔顿的平均分子量。

8.如权利要求4至7之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中n为约20至约500。

9.如权利要求4至8之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中R’选自H、C₁-C₈-烷基及C₅-C₁₂-芳基。

10.如前述权利要求之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中所述肽为含有约2至约10个氨基酸单元的寡肽。

11.如前述权利要求之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中至少一种非功能化或功能化肽在其C端含有末端氨基酸，该末端氨基酸选自亮氨酸、异亮氨酸、蛋氨酸、苯丙氨酸、色氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、酪氨酸、赖氨酸、精氨酸及组氨酸。

12.如权利要求1至10之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中至少一种非功能化或功能化肽含有至少一种β-氨基酸，该β-氨基酸选自β-丙氨酸、β-苯丙氨酸、β-色氨酸、β-酪氨酸、β-亮氨酸、β-异亮氨酸、β-谷氨酰胺、β-谷氨酸、β-组氨酸、β-蛋氨酸及天冬氨酸。

13.如前述权利要求之一的用于电解沉积铜的水性酸浴，其中至少一种亮光剂化合物选自有机硫醇化合物、有机硫化物化合物、有机二硫化物化合物及有机多硫化物化合物。

14.一种在工作件上用于电解沉积铜的方法，所述方法包括：(i)提供如权利要求1至13之一所述的用于电解沉积铜的水性酸浴，以及至少一阳极；(ii)使所述工作件和至少一阳极接触所述水性酸浴；以及(iii)在所述工作件及所述至少一阳极之间产生电流流动，使得铜沉积在该工作件上。

15.如权利要求14的用于电解沉积铜的方法，其中所述工作件为印刷电路板、芯片载体或半导体晶片。

16.如权利要求14或15的用于电解沉积铜的方法，其中铜沉积在印刷电路板、芯片载体或晶片的沟渠及盲微孔中。