[发明专利]含硅膜的蚀刻方法及装置

权利要求书

1.一种含硅膜的蚀刻方法，是对在基底膜上层叠有含硅膜的被处理物进行蚀刻，其特征在于，

使含有含氟反应成分和H₂O的处理气体或含有含氟反应成分和含OH基化合物的处理气体与所述被处理物接触，并随蚀刻的进行改变所述处理气体中的H₂O或含OH基化合物的含有率。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

随蚀刻的进行减小所述含有率。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

随蚀刻的进行阶段性地减小所述含有率。

4.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

相对升高对所述含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分进行蚀刻期间即第一蚀刻工序期间的所述含有率，相对降低对所述含硅膜的欲蚀刻部分中在所述第一蚀刻工序后残留的部分进行蚀刻期间即第二蚀刻工序期间的所述含有率。

5.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述第二蚀刻工序中，通过使露点温度0～40℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含氟反应成分。

6.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序中，使露点温度10～50℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含氟反应成分，

在所述第二蚀刻工序中，使露点温度低于所述第一蚀刻工序的含氟原料气体且露点温度为0～40℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含氟反应成分。

7.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序中，使露点温度10～50℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含有含氟反应成分及水的第一含氟反应气体，所述第一蚀刻工序的处理气体以1∶9～9∶1的体积混合比含有所述第一含氟反应气体和含有氧化性反应成分的氧化性反应气体，

在所述第二蚀刻工序中，使露点温度低于所述第一蚀刻工序的含氟原料气体且露点温度为0～40℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含有含有率低于第一含氟反应气体的水和含氟反应成分的第二含氟反应气体，所述第二蚀刻工序的处理气体以1∶9～9∶1的体积混合比含有所述第二含氟反应气体和含有氧化性反应成分的氧化性反应气体。

8.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序中阶段性地减小处理气体中的H₂O或含OH基化合物的含有率，使所述第二蚀刻工序的处理气体中的H₂O或含OH基化合物的含有率比所述第一蚀刻工序的最终阶段低。

9.一种含硅膜的蚀刻装置，用于对在基底膜上层叠有含硅膜的被处理物进行蚀刻，其特征在于，

具备将含有含氟反应成分的处理气体供给到所述被处理物的处理气体供给系统，

所述处理气体供给系统包括：形成大气压附近的等离子体空间的等离子体生成部、将作为所述含氟反应成分的含氟原料气体导入到所述等离子体空间内的原料供给管线、在所述含氟原料气体中添加H₂O或含OH基化合物的添加部、和随蚀刻的进行改变基于所述添加部的H₂O或含OH基化合物的添加率的添加率调节部。

10.如权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述添加率调节部使所述添加率随蚀刻的进行减小。

11.如权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述添加率调节部使所述添加率随蚀刻的进行阶段性地减小。

12.如权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述添加率调节部，直到所述含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分被蚀刻时相对增高所述添加率，对残留的含硅膜进行蚀刻时相对降低所述添加率。