[发明专利]含硅膜的蚀刻方法及装置有效
申请号: | 200980106982.X | 申请日: | 2009-02-26 |
公开(公告)号: | CN101960566A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 功刀俊介 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 含硅膜 蚀刻 方法 装置 | ||
1.一种含硅膜的蚀刻方法,是对在基底膜上层叠有含硅膜的被处理物进行蚀刻,其特征在于,
使含有含氟反应成分和H2O的处理气体或含有含氟反应成分和含OH基化合物的处理气体与所述被处理物接触,并随蚀刻的进行改变所述处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率。
2.如权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,
随蚀刻的进行减小所述含有率。
3.如权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,
随蚀刻的进行阶段性地减小所述含有率。
4.如权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,
相对升高对所述含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分进行蚀刻期间即第一蚀刻工序期间的所述含有率,相对降低对所述含硅膜的欲蚀刻部分中在所述第一蚀刻工序后残留的部分进行蚀刻期间即第二蚀刻工序期间的所述含有率。
5.如权利要求4所述的蚀刻方法,其特征在于,
在所述第二蚀刻工序中,通过使露点温度0~40℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含氟反应成分。
6.如权利要求4所述的蚀刻方法,其特征在于,
在所述第一蚀刻工序中,使露点温度10~50℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含氟反应成分,
在所述第二蚀刻工序中,使露点温度低于所述第一蚀刻工序的含氟原料气体且露点温度为0~40℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含氟反应成分。
7.如权利要求4所述的蚀刻方法,其特征在于,
在所述第一蚀刻工序中,使露点温度10~50℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含有含氟反应成分及水的第一含氟反应气体,所述第一蚀刻工序的处理气体以1∶9~9∶1的体积混合比含有所述第一含氟反应气体和含有氧化性反应成分的氧化性反应气体,
在所述第二蚀刻工序中,使露点温度低于所述第一蚀刻工序的含氟原料气体且露点温度为0~40℃的含有水分的含氟原料气体在大气压附近的等离子体空间内通过而生成含有含有率低于第一含氟反应气体的水和含氟反应成分的第二含氟反应气体,所述第二蚀刻工序的处理气体以1∶9~9∶1的体积混合比含有所述第二含氟反应气体和含有氧化性反应成分的氧化性反应气体。
8.如权利要求4所述的蚀刻方法,其特征在于,
在所述第一蚀刻工序中阶段性地减小处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率,使所述第二蚀刻工序的处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率比所述第一蚀刻工序的最终阶段低。
9.一种含硅膜的蚀刻装置,用于对在基底膜上层叠有含硅膜的被处理物进行蚀刻,其特征在于,
具备将含有含氟反应成分的处理气体供给到所述被处理物的处理气体供给系统,
所述处理气体供给系统包括:形成大气压附近的等离子体空间的等离子体生成部、将作为所述含氟反应成分的含氟原料气体导入到所述等离子体空间内的原料供给管线、在所述含氟原料气体中添加H2O或含OH基化合物的添加部、和随蚀刻的进行改变基于所述添加部的H2O或含OH基化合物的添加率的添加率调节部。
10.如权利要求9所述的蚀刻装置,其特征在于,
所述添加率调节部使所述添加率随蚀刻的进行减小。
11.如权利要求9所述的蚀刻装置,其特征在于,
所述添加率调节部使所述添加率随蚀刻的进行阶段性地减小。
12.如权利要求9所述的蚀刻装置,其特征在于,
所述添加率调节部,直到所述含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分被蚀刻时相对增高所述添加率,对残留的含硅膜进行蚀刻时相对降低所述添加率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水化学工业株式会社,未经积水化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980106982.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造