[发明专利]用于从衬底移除聚合物的方法和设备

权利要求书

1.一种用于从衬底移除聚合物的设备，其包括：

处理室，其具有界定了处理空间的室壁和室盖；

衬底支撑组件，其被布置于所述处理室中；

远程等离子体源，其经由形成穿过所述处理室的出口端口耦接至所述处理室，所述出口端口具有指向被布置于所述衬底支撑组件上的衬底的周边区域的开口；以及

以下特征(A)、(B)或(C)中的一者，其中：

(A)包括所述衬底支撑组件的衬底支撑表面，所述衬底支撑表面使被布置于其上的衬底相对于所述衬底支撑组件实质电漂浮；

(B)包括B场产生器，所述B场产生器被配置为在所述出口端口处提供B场，所述B场减少与被布置于所述衬底支撑组件上的衬底的边缘接触的离子数目；以及

(C)包括导电网，所述导电网被支撑于所述衬底支撑组件与所述室盖之间，以将布置于所述室内的等离子体中的离子接地。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，在所述远程等离子体源中暴露于等离子体的表面由抵抗氢核素带来的还原性劣化的材料所制成。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述抗氢材料选自下列材料所构成的群组：裸铝(Al)、含钇(Y)材料、含钯(Pd)材料、含锆(Zr)材料、含铪(Hf)材料、及含铌(Nb)材料。

4.根据权利要求2所述的设备，还包括：

台阶结构，所述台阶结构形成于所述衬底支撑组件的周边区域，所述台阶结构的尺寸允许所述衬底延伸于其上。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述出口端口位于所述侧壁中并沿着大致水平方向引导来自所述远程等离子体源的气体，其中，所述衬底支撑组件相对于所述出口端口的高度可进行调节，其中，所述衬底支撑组件在所述处理空间内旋转。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，从所述远程等离子体源提供的气体是含氢气体，并且其中，所述含氢气体包括H₂、水蒸汽(H₂O)或NH₃中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述远程等离子体源包括环状处理室，所述环状室由所选择的抗氢材料制成或涂覆，其中，所述抗氢材料选自下列材料所构成的群组：裸铝(Al)、含钇(Y)材料、含钯(Pd)材料、含锆(Zr)材料、含铪(Hf)材料、及含铌(Nb)材料。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述环状室系由涂覆有抗氢材料的塑料制成。

9.一种衬底处理系统，其包括：

真空传送室，其具有自动机械，

蚀刻反应器，其耦接至所述传送室并被配置为蚀刻被置于衬底上的电介质材料，其中，所述电介质材料选自氧化硅和碳氧化硅中的至少一者；以及

聚合物移除室，其耦接至所述传送室，所述自动机械被配置为在所述聚合物移除室与所述蚀刻反应器之间传送衬底，所述聚合物移除室具有将反应核素提供至所述聚合物移除室的内部的远程等离子体源，其中，所述远程等离子体源中暴露于等离子体的表面由抵抗氢核素带来的还原性劣化的材料所制成，其中，所述聚合物移除室还包括以下特征(A)、(B)或(C)中的至少一者，其中：

(A)包括被布置于所述聚合物处理室中的衬底支撑组件的衬底支撑表面，所述衬底支撑表面使被布置于其上的衬底相对于所述衬底支撑组件电漂浮；

(B)包括B场产生器，所述B场产生器被配置为在出口端口处提供B场，所述B场减少与被布置于所述衬底支撑组件上的衬底的边缘接触的离子数目；以及

(C)包括导电网，所述导电网被支撑于所述衬底支撑组件与室盖之间，以将布置于所述室内的等离子体中的离子接地。

10.一种用于从衬底移除聚合物的方法，其包括以下步骤：

在蚀刻反应器中蚀刻被置于衬底上的材料层；

将经蚀刻的所述衬底传送至聚合物移除室；

将惰性气体通过被置于所述聚合物移除室中的中心区域供应至所述衬底的正面；

将含氢气体从与所述聚合物移除室耦接的远程等离子体源通过喷嘴供应将所述衬底的周边区域，其中，所述远程等离子体源中暴露于等离子体的表面由抵抗氢核素带来的还原性劣化的材料所制成。