[发明专利]制造半导体陶瓷组成物的工艺以及采用半导体陶瓷组成物的加热器无效
申请号: | 200980107173.0 | 申请日: | 2009-03-12 |
公开(公告)号: | CN101959829A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 岛田武司;猪野健太郎;木田年纪 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;H01C7/02 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;杨本良 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 陶瓷 组成 工艺 以及 采用 加热器 | ||
1.一种制造半导体陶瓷组成物的工艺,该半导体陶瓷组成物中的一部分Ba用Bi-Na代替,该工艺包括在600℃或更低的温度下热处理该半导体陶瓷组成物的步骤。
2.根据权利要求1所述的制造半导体陶瓷组成物的工艺,其中,所述步骤是在含氧气氛中热处理的步骤。
3.根据权利要求1所述的制造半导体陶瓷组成物的工艺,其中,所述步骤是在空气中热处理的步骤。
4.一种制造半导体陶瓷组成物的工艺,该半导体陶瓷组成物中的一部分Ba用Bi-Na代替,该工艺是制造设置有电极的半导体陶瓷组成物的工艺,该工艺包括:
形成电极到所述半导体陶瓷组成物的步骤,以及
在空气中,在600℃或更低的温度下热处理所述半导体陶瓷组成物的步骤。
5.一种用于制造半导体陶瓷组成物的工艺,该半导体陶瓷组成物中的一部分Ba用Bi-Na代替,该工艺包括:
制备(BaQ)TiO3煅烧粉末的步骤(其中Q是半导体掺杂剂);
制备(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤;
混合所述(BaQ)TiO3煅烧粉末和所述(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤;
模制和烧结该混合的煅烧粉末的步骤;以及
在600℃或更低的温度下热处理所述获得的烧结体的步骤。
6.一种包括加热元件的加热器,该加热元件包括设置有电极的半导体陶瓷组成物,该半导体陶瓷组成物通过如权利要求1至5的任意一项要求的制造工艺获得。
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