[发明专利]有包含掺杂有机层的微腔的有机发光二极管及其制造工艺无效
申请号: | 200980107267.8 | 申请日: | 2009-01-16 |
公开(公告)号: | CN101978527A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | M·本哈里法;F·德拉萨拉;B·杜塞夫-威-达莱特;G·吉格里;V·迈奥瑞纳;F·马里亚诺;M·马泽奥 | 申请(专利权)人: | 阿斯特朗非凡安全有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 掺杂 有机 发光二极管 及其 制造 工艺 | ||
1.一种通过透明基底(240)向下发射光的有机发光二极管(OLED),该OLED嵌入了微腔(220),该微腔形成在阴极(210)与阳极(230)之间并包含包括发光层(225)的多层有机层,特征在于:
该多层有机层至少包含第一层(229),该第一层由目的在于增强电子的输运的有机掺杂材料制成;
该多层有机层至少包含第二层(221),该第二层由目的在于增强空穴的输运的有机掺杂材料制成;且
特征还在于:
该阳极(230)是借助在透明基底(240)之上银(Ag)的半透明层的沉积获得的,以便与第一掺杂有机层(229)直接接触。
2.按照权利要求1的OLED,其中该第一和第二掺杂有机层(229,221)的厚度适宜于调整该微腔(220)对要被该OLED产生的单色光波长的光学特性。
3.按照权利要求1或2的OLED,其中该阴极(210)是借助Ag的全反射层的沉积获得的。
4.按照前面权利要求任一项的OLED,其中该多层有机层包含向着第一掺杂有机层(229)的电子阻挡层(227)。
5.按照前面权利要求任一项的OLED,其中该多层有机层包含向着第二掺杂有机层(221)的空穴阻挡层(223)。
6.按照前面权利要求任一项的OLED,形成分层的叠层,依次包括:
透明的玻璃基底(240);
在该基底之上由金属层制成的半透明阳极(230),其次,该多层有机层至少包含:
目的在于输运空穴的掺杂材料的第一层(229);
向着该第一层的电子阻挡层(227);
发光层(225);
向着该第二层的空穴阻挡层(223);
目的在于输运电子的掺杂材料的第二层(221);和
在该第二层之上由金属层制成的全反射阴极(210)。
7.一种通过透明基底(240)向下发射光的有机发光二极管(OLED)的制造工艺,该OLED嵌入了微腔(220),该微腔形成在阴极(210)与阳极(230)之间并包含包括发光层(225)的多层有机层,该制造工艺的特征在于:
该多层有机层至少包含第一层(229),该第一层是借助目的在于增强电子的输运的有机掺杂材料的热真空沉积获得的;
该多层有机层至少包含第二层(221),该第二层是借助目的在于增强空穴的输运的有机掺杂材料的热真空沉积获得的;且
特征还在于:
该阳极(230)是借助在透明基底(240)之上的银(Ag)半透明层的在先热真空沉积获得的,以便与第一掺杂有机层(229)直接接触。
8.按照权利要求7的OLED的制造工艺,其中该第一和第二掺杂有机层(229,221)的厚度适宜于调整该微腔(220)对要被该OLED产生的单色光波长的光学特性。
9.按照权利要求7或8的OLED的制造工艺,其中该阴极(210)是借助Ag的全反射层的热真空沉积获得的。
10.按照权利要求7到9任一项的OLED的制造工艺,其中该多层有机层包含电子阻挡层(227),该电子阻挡层向着借助热真空沉积获得的第一掺杂有机层(229)。
11.按照权利要求7到10任一项的OLED的制造工艺,其中该多层有机层包含空穴阻挡层(223),该空穴阻挡层向着借助热真空沉积获得的第二掺杂有机层(221)。
12.按照权利要求7到11任一项的OLED的制造工艺,其中该发光层(225)被定位在微腔(220)之内以便获得最佳的亮度输出效率,且其中该竖直定位是借助独立地调整第一和第二有机掺杂层(229,221)的厚度获得的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿斯特朗非凡安全有限公司,未经阿斯特朗非凡安全有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980107267.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双功能轮滑鞋
- 下一篇:一种罗布麻固体饮料及其制备工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择