[发明专利]高频天线单元及等离子处理装置有效
申请号: | 200980107376.X | 申请日: | 2009-03-03 |
公开(公告)号: | CN101971715A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 节原裕一;江部明宪 | 申请(专利权)人: | EMD株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 天线 单元 等离子 处理 装置 | ||
1.一种高频天线单元,在用以在真空容器内产生等离子的装置中使用,其特征在于,包括:
a)高频天线,用以流动高频电流;
b)绝缘体制作的保护管,被设置在上述高频天线之中位于真空容器内的部分的周围;及
c)上述高频天线与上述保护管之间的缓冲区域。
2.如权利要求1所述的高频天线单元,其特征在于,
在上述缓冲区域与上述真空容器之间具有气密封构造。
3.如权利要求2所述的高频天线单元,其特征在于,
上述缓冲区域为真空。
4.如权利要求2所述的高频天线单元,其特征在于,
上述缓冲区域内的压力为大气压。
5.如权利要求1~4中任一项所述的高频天线单元,其特征在于,
上述保护管,是在成为基底的管的表面上施以高耐受性被覆而成,该高耐受性被覆由对等离子的耐受性比该基底管的材料高的材料构成。
6.如权利要求5所述的高频天线单元,其特征在于,
上述基底管的材料为石英,上述高耐受性被覆的材料为氧化物陶瓷、氟化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硅的任一种,或其二种以上的混合物。
7.如权利要求1~6中任一项所述的高频天线单元,其特征在于,
上述高频天线,是在成为基底的金属部件的表面上施以高导电性被覆而成,该高导电性被覆由导电性比该基底金属部件的材料高的金属构成。
8.如权利要求1~7中任一项所述的高频天线单元,其特征在于,
上述高频天线是使冷媒通过的管状构件。
9.如权利要求8所述的高频天线单元,其特征在于,
上述高频天线,是在由对上述冷媒的耐蚀性比铜高的高耐蚀性金属构成的管的表面上,施以由导电性比该耐蚀性金属高的金属构成的高导电性被覆而成。
10.如权利要求9所述的高频天线单元,其特征在于,
上述高耐蚀性金属为不锈钢,且上述高导电性被覆由金或铂构成。
11.如权利要求1~10中任一项所述的高频天线单元,其特征在于,
上述高频天线为开路环型。
12.如权利要求11项所述的高频天线单元,其特征在于,
该高频天线单元具有用以将上述开路环型高频天线安装至上述真空容器的安装工具,其保持该开路环型高频天线的两端,且在上述安装工具上设置有与上述缓冲区域连通的连通孔。
13.一种等离子处理装置,其特征在于:
至少具有如权利要求1至12中任一项所述的高频天线单元。
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