[发明专利]旋转磁铁溅射装置

权利要求书

1.一种旋转磁铁溅射装置，其特征在于，具有：载放被处理基板的被处理基板设置台、按照与该被处理基板相面对的方式设置靶子的机构、设置在相对于靶子所放置的部分与所述被处理基板设置台相反的一侧的磁铁，通过利用该磁铁在靶子正面形成磁场而将等离子体封闭在靶子正面，

所述磁铁包括：将多个板磁铁连续地设于柱状旋转轴上的旋转磁铁组、在旋转磁铁组的周边与靶子面平行地设置并且由沿与靶子面垂直的方向磁化的磁铁或未被预先磁化的强磁性体构成的固定外周体，通过使所述旋转磁铁组与所述柱状旋转轴一起旋转，使所述靶子正面的磁场图案随时间变动，

该旋转磁铁溅射装置具备遮蔽构件，该遮蔽构件按照覆盖所述靶子的端部的方式与所述靶子分离，并且设置在相对于所述旋转磁铁组与所述靶子相反的一侧，在所述遮蔽构件中设有沿与所述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸并使所述靶子面对所述被处理基板而开口的狭缝，

并且通过对所述靶子施加DC电力、具有第一频率的RF电力、以及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，在靶子正面激发出等离子体，

此外，在所述被处理基板设置台中设有RF施加电极，在溅射过程中，对所述RF施加电极施加基板RF电力，从而可以使载放于所述被处理基板设置台上的被处理基板产生自偏压。

2.根据权利要求1所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，所述遮蔽构件与地之间的在所述基板RF电力的频率下的阻抗为1kΩ以上，并且所述靶子与地之间的在所述基板RF电力的频率下的阻抗为10Ω以下，此外，所述遮蔽构件与地之间的阻抗在由对所述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率下为10Ω以下。

3.根据权利要求1所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，所述遮蔽构件与地之间的在所述基板RF电力的频率下的阻抗为10kΩ以上，并且所述靶子与地之间的在所述基板RF电力的频率下的阻抗为1Ω以下，而且所述遮蔽构件与地之间的阻抗在由对所述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率下为1Ω以下。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，在所述遮蔽构件与地之间设有LC并联谐振电路，所述LC并联谐振电路的谐振频率与所述基板RF电力的频率实质上相等，并且由对所述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率是选自所述谐振频率及半值宽度的区域以外的频率中的频率。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，在所述遮蔽构件与地之间设有LC并联谐振电路，所述LC并联谐振电路的谐振频率与所述基板RF电力的频率实质上相等，并且在所述遮蔽构件与地之间设有一个或两个LC串联谐振电路，所述一个或两个LC串联谐振电路的谐振频率与由对所述靶子施加的一个或两个构成的等离子体激发电力的该一个或各个频率实质上相等。

6.一种溅射装置，其具有：载放被处理基板的被处理基板设置台、按照与该被处理基板相面对的方式设置靶子的机构、设置在相对于靶子被放置的部分与所述被处理基板设置台相反的一侧的磁铁，通过利用该磁铁在靶子正面形成磁场而将等离子体封闭在靶子正面，该溅射装置的特征在于，

所述被处理基板设置台相对于所述靶子可以变化位置地进行移动，并且所述被处理基板设置台设有RF施加电极，在溅射过程中，对所述RF施加电极施加基板RF电力，从而可以使载放于所述被处理基板设置台上的被处理基板产生自偏压。

7.根据权利要求6所述的溅射装置，其特征在于，具备遮蔽构件，其按照覆盖所述靶子的端部的方式与所述靶子分离，并且设置在相对于所述磁铁与所述靶子相反的一侧，所述遮蔽构件被开口设有狭缝，用于使所述靶子面对所述被处理基板。

8.根据权利要求6或7所述的溅射装置，其特征在于，通过对所述靶子施加DC电力、具有第一频率的RF电力、以及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，而在靶子正面激发出等离子体。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的溅射装置，其特征在于，所述遮蔽构件被直流接地。

10.根据权利要求6至9中任意一项所述的溅射装置，其特征在于，对所述靶子，施加具有第一频率的RF电力及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，并且所述遮蔽构件相对于具有第一频率的RF电力及具有第二频率的RF电力中的对所述靶子施加的一个或两个RF电力的频率实质上接地。