[发明专利]用于制备硅质膜的浸渍溶液和使用所述浸渍溶液制备硅质膜的方法无效
申请号: | 200980107577.X | 申请日: | 2009-03-03 |
公开(公告)号: | CN101965629A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 林昌伸 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(日本)株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;B05D3/10;C09D183/16;H01L21/76 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 质膜 浸渍 溶液 使用 方法 | ||
1.一种浸渍溶液,该浸渍溶液用于在制备硅质膜的方法中在烧制涂布了聚硅氮烷组合物的衬底前浸渍该衬底;所述浸渍溶液包含过氧化氢、从醇、表面活性剂及它们的混合物中选出的气泡沉积抑制剂和除所述醇以外的溶剂。
2.根据权利要求1所述的浸渍溶液,其中所述醇是通过用1~3个羟基替代包含1~3个碳原子的饱和烃中的氢原子所获得的一元醇、二元醇或三元醇。
3.根据权利要求1或2所述的浸渍溶液,其中所述醇从甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇及它们的混合物中选出。
4.根据权利要求1所述的浸渍溶液,其中所述表面活性剂是非离子表面活性剂。
5.根据权利要求4所述的浸渍溶液,其中所述非离子表面活性剂是聚氧乙烯烷基醚。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的浸渍溶液,其中所述除所述醇以外的溶剂是水。
7.一种制备硅质膜的方法,包括:
涂布步骤,其中在具有凹部和凸部的衬底表面上涂布包含聚硅氮烷化合物的组合物;
浸渍步骤,其中在权利要求1~6中任一项所述的浸渍溶液中浸渍经涂布的衬底,和
硬化步骤,其中对经浸渍的衬底进行加热,以将聚硅氮烷化合物转化为硅质膜。
8.根据权利要求7所述的制备硅质膜的方法,在涂布步骤和浸渍步骤之间还包括预加热衬底的步骤。
9.根据权利要求7或8所述的制备硅质膜的方法,其中在硬化步骤中,在包含1%或更高浓度的水蒸气的不活泼气体或氧气的气氛下对衬底进行加热。
10.根据权利要求7~9中任一项所述的制备硅质膜的方法,其中在硬化步骤中,在400℃~1200℃的温度下对衬底进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造