[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种光伏器件的制造方法，该方法包括：

提供包括一定长度的柔性箔的基板，

形成一组多层，所述多层包括在一部分基板上的光伏器件，其中

所述多层的至少一层包括吸收体层，且

所述吸收体层包括至少一种II-VI族化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述一组多层包括电极层、吸收体层、窗口层和TCO层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述基板为透明的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述基板包括金属，且所述基板为不透明的。

5.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：

连续移动该一定长度的柔性箔经过能够形成一层的至少一个沉积源，其中

使用能够被加热或冷却的至少一个涂布鼓传送所述箔。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：

在自由跨距结构中连续移动该一定长度的柔性箔经过能够形成一层的至少一个沉积源。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

该一定长度的柔性箔具有第一面和与第一面相对的第二面，以及

形成一组多层包括在第一面和第二面上形成至少一层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

当连续移动基板经过能够形成一层的至少一个沉积源时，基本上同时形成电极层、吸收体层、窗口层和TCO层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

当连续移动基板经过能够形成一层的至少一个沉积源时，

在基板上形成电极层，

在电极层之后形成吸收体层，

在吸收体层之后形成窗口层，以及

在吸收体层之后形成TCO层。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法进一步包括：

连续移动基板经过能够形成一层的至少一个沉积源，其中

使用至少一个能够被加热或冷却的涂布鼓传送所述箔。

11.根据权利要求9所述的方法，其中：

连续移动具有自由跨距结构的基板经过能够形成一层的至少一个沉积源。

12.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：

至少一个独立地选自由退火、CdCl₂处理、硒化、划线、激光图案化和机械图案化组成的组的步骤。

13.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述吸收体层包括CdTe。

14.一种光伏器件，其由如权利要求1所述方法制造。

15.一种光伏器件的制造方法，该方法包括：

提供包括一定长度的柔性箔的基板，

连续移动具有自由跨距结构的基板经过能够形成一层的至少一个沉积源，以及

形成一组多层，所述多层包括在一部分基板上的光伏器件，其中：该一定长度的柔性箔具有第一面和与第一面相对的第二面，并且形成一组多层包括在第一面和第二面上形成至少一个层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中：

所述一组多层包括电极层、吸收体层、窗口层和TCO层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中：

所述吸收体层包括选自由II-VI族、I-III-VI族和IV族化合物组成的组的材料。

18.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述吸收体层包括CdTe。

19.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述吸收体层包括CIGS。

20.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述吸收体层包括选自由非晶硅、微晶硅、微结晶硅、晶体硅和锗化硅组成的组的材料。

21.根据权利要求15所述的方法，其中：

所述基板为透明的。

22.根据权利要求15所述的方法，其中：

所述基板包括金属，且所述基板为不透明的。