[发明专利]用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法

权利要求书

1.一种固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其包括如下步骤：

在衬底上形成低k电介质膜；

将所述低k电介质膜暴露于第一红外(IR)辐射；

在暴露于所述第一IR辐射之后，将所述低k电介质膜暴露于紫外(UV)辐射；并且

在暴露于所述UV辐射之后，将所述低k电介质膜暴露于第二红外(IR)辐射，

其中，所述低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

在暴露于所述第一IR辐射的过程中，通过将所述衬底的温度提升至从约200摄氏度到约600摄氏度范围内的第一IR热处理温度，加热所述低k电介质膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一IR热处理温度在从约350摄氏度到约450摄氏度的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

在暴露于所述UV辐射的过程中，通过将所述衬底的温度提升至从约200摄氏度到约600摄氏度范围内的UV热温度，加热所述低k电介质膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述UV热温度在从约300摄氏度到约500摄氏度的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

在暴露于所述第二IR辐射的过程中，通过将所述衬底的温度提升至从约200摄氏度到约600摄氏度范围内的第二IR热处理温度，以加热所述低k电介质膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二IR热处理温度在从约350摄氏度到约450摄氏度的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在不同于执行所述UV辐射的处理系统中执行所述第一IR辐射。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在与执行所述UV辐射相同的处理系统中执行所述第一IR辐射。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述UV辐射包括将所述低k电介质膜暴露于单色UV辐射、多色UV辐射、脉冲UV辐射、或连续波UV辐射、或者上述各项中两项或多项的组合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述UV辐射包括将所述低k电介质膜暴露于来自一个或多个UV灯、一个或多个UV LED、或者一个或多个UV激光器、或者上述各项中两项或多项的组合的UV辐射。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述UV辐射包括将所述低k电介质膜暴露于具有从约200内米到约400纳米范围内的波长的UV辐射。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述UV辐射包括将所述低k电介质膜暴露于具有从约200纳米到约240纳米范围内的波长的UV辐射。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述第一IR辐射包括将所述低k电介质膜暴露于单色IR辐射、多色IR辐射、脉冲IR辐射、或连续波IR辐射、或者上述各项中两项或多项的组合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述第一IR辐射包括将所述低k电介质膜暴露于来自一个或多个IR灯、一个或多个IR LED、或者一个或多个IR激光器、或者上述各项中两项或多项的组合的IR辐射。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述IR辐射包括将所述低k电介质膜暴露于具有从约8微米到约12微米范围内的波长的IR辐射。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述UV辐射还包括如下步骤：

在暴露于所述UV辐射的至少一部分过程中，将所述低k电介质膜暴露于第三IR辐射。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述低k电介质膜暴露于所述第三IR辐射包括将所述低k电介质膜暴露于具有从约8微米到约12微米范围内的波长的IR辐射。