[发明专利]三端可多次编程存储器位单元及阵列架构

权利要求书

1.一种非易失性存储器位单元，其包括：

一擦除电极；

一程序电极；

一悬臂电极，其连接至一双稳态悬臂，该双稳态悬臂定位于该程序电极与该擦除电极之间，其中在该双稳态悬臂接触该擦除电极的接触区域中，该双稳态悬臂及该擦除电极是电性绝缘的；以及

切换装置，其连接至该程序电极。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器位单元，其中该擦除电极包括一在该双稳态悬臂接触该擦除电极的区域中的电气绝缘部分。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器位单元，其中该双稳态悬臂包括一在该擦除电极接触该双稳态悬臂的区域中的电气绝缘部分。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一N型金属氧化物半导体晶体管。

5.如权利要求1所述之非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一P型金属氧化物半导体晶体管。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一传导门。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一开关，该开关包括一第一节点、一第二节点及一控制节点，其中该第一节点连接至该程序电极。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一微机电系统开关。

9.一种非易失性存储器位单元，其包括：

一擦除电极；

一程序电极；

一悬臂电极，其连接至一双稳态悬臂，该双稳态悬臂定位于该程序电极与该擦除电极之间，且其中在该双稳态悬臂接触该擦除电极的接触区域中，该双稳态悬臂及该擦除电极是电性绝缘的，并且其中该擦除电极、该程序电极及该双稳态悬臂封闭在一密封空腔中；以及

切换装置，其连接至该程序电极。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该擦除电极包括一在该双稳态悬臂接触该擦除电极的区域中的电性绝缘部分。

11.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该双稳态悬臂包括一在该擦除电极接触该双稳态悬臂的区域中电性绝缘部分。

12.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一N型金属氧化物半导体晶体管。

13.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一P型金属氧化物半导体晶体管。

14.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一传导门。

15.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一开关，该开关包括一第一节点、一第二节点及一控制节点，其中该第一节点连接至该程序电极。

16.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该切换装置包括一微机电系统开关。

17.如权利要求9所述的非易失性存储器位单元，其中该密封空腔整合入一互补金属氧化物半导体工序的后段生产线。

18.一种将一非易失性存储器位单元设定于一编程状态的方法，该非易失性存储器位单元包括一擦除电极、一程序电极、一悬臂电极及切换装置，该悬臂电极连接至一定位于该程序电极与该擦除电极之间的双稳态悬臂，且切换装置具有一第一节点、一第二节点及一控制节点，其中该第一节点连接至该程序电极，该方法包括以下步骤：

将在该悬臂电极与该擦除电极之间的电压保持在一足够低水平，以避免在该双稳态悬臂与该擦除电极之间的电性吸引；

将一电位差施加于该悬臂电极与该程序电极之间，其足以朝向该程序电极吸引该双稳态悬臂，其中施加于该程序电极的电压经由该切换装置而被施加，其中将该电压供应至该切换装置的该第二节点，且在将一开启电压施加于该控制节点以足以启动该切换装置时，将该电压从该第二节点传送至该第一节点及至该程序电极；以及

在该双稳态悬臂接触该程序电极之前，将一关闭电压施加于该控制节点，其足以停用该切换装置。